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本发明涉及一种测试晶圆掺杂浓度的方法，包含以下步骤：S1、提供一晶圆，在所述晶圆上形成掺杂的外延层；S2、测量所述外延层的厚度和薄层电阻，获得厚度值和薄层电阻值；S3、将所述厚度值和薄层电阻值代入掺杂浓度预测模型，获得所述外延层的预测掺杂浓...
该专利属于江苏天芯微半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏天芯微半导体设备有限公司授权不得商用。

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