一种半导体紫外发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体紫外发光二极管，所述半导体紫外发光二极管包括：衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型半导体；所述衬底、所述n型半导体、所述超晶格层、所述量子阱和所述p型半导体从下至上依次叠加；所述量子阱的In元素分布、Al元素分布、Mg元素掺杂浓度分布、Si元素掺杂浓度分布，H元素分布、C元素分布和O元素分布分别呈函数方式分布。本发明专利技术可以通过调整量子阱的元素掺杂浓度，以提升紫外发光二极管的量子阱对载流子的量子限域效应，降低量子阱的压电极化效应，从而提升紫外发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管元器件的，尤其涉及一种半导体紫外发光二极管。

技术介绍

1、半导体发光元器件是具有可调范围广泛的波长范围，发光效率高，节能环保的电子元件。一般的半导体发光元器件可以发出不同光，通过搭配荧光粉现已逐渐取代白炽灯和荧光灯，成为不同使用场景的照明光源。例如，紫外发光二极管(发光波长350-420nm)uva波段可应用于3d固化、美甲固化、光疗、皮肤治疗、植物照明等应用领域。

2、由于半导体紫外发光二极管因波长较短，其发光波长只有350-420nm，使得半导体紫外发光二极管的量子阱的in元素含量降低，让半导体紫外发光二极管无法在量子阱区域形成in元素组分涨落的量子限制效应，进而导致量子阱的电子空穴局域效应较弱，加剧电子空穴不匹配，从而降低紫外发光二极管的发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术提出一种半导体紫外发光二极管，所述半导体紫外发光二极管通过调整量子阱的元素掺杂浓度，以提升紫外发光二极管的量子阱对载流子的量子限域效应，降低量子阱的压电极化效应，从而提升紫外发光二极管的发光效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述半导体紫外发光二极管包括：衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型半导体；

2.根据权利要求1所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱的In元素分布为正弦或余弦函数曲线分布；

3.根据权利要求2所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱由阱层和垒层组成的周期结构，所述量子阱的周期为q，其中，1≤q≤30；

4.根据权利要求3所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述阱层为InGaN、AlInGaN、GaN、AlInN的任意一种或或组合，所述阱层的厚度为10～80埃米。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述半导体紫外发光二极管包括：衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型半导体；

2.根据权利要求1所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱的in元素分布为正弦或余弦函数曲线分布；

3.根据权利要求2所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述量子阱由阱层和垒层组成的周期结构，所述量子阱的周期为q，其中，1≤q≤30；

4.根据权利要求3所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述阱层为ingan、alingan、gan、alinn的任意一种或或组合，所述阱层的厚度为10～80埃米。

5.根据权利要求3所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述垒层为gan、alingan、algan、aln的任意一种或多种组合，所述垒层的厚度为20～150埃米。

6.根据权利要求1所述的半导体紫外发光二极管，其特征在于，所述超晶格层包含si元素、al元素、c元素、h元素和o元素；

7.根据权利要求6所述的半导体紫外发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈婉君，王星河，蓝家彬，蔡鑫，张江勇，李水清，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：