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本发明公开了一种半导体紫外发光二极管，所述半导体紫外发光二极管包括：衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型半导体；所述衬底、所述n型半导体、所述超晶格层、所述量子阱和所述p型半导体从下至上依次叠加；所述量子阱的In元素分布、Al元素分布、...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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