【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种在euv曝光工艺中使用的反射掩模以及用于设计在其中使用的抗反射图案的方法。
技术介绍
1、随着半导体器件集成密度的增大，对高分辨率光刻系统的需求也在增加。因此，正在开发极紫外(euv)曝光系统，在其中具有比深紫外(duv)光更短的波长的euv光用作源光。反射euv光的反射掩模用于euv曝光系统。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施方式提供一种能够实现具有提高的精度和分辨率的euv光刻工艺的反射掩模。
2、本专利技术构思的实施方式提供一种设计反射掩模的抗反射图案的方法。
3、根据本专利技术构思的一些实施方式的一种反射掩模可以包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中的具有预定线宽和预定节距的线和间隔图案(line-and-space pattern)。
4、根本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种反射掩模，包括：
2.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述吸收层包括钌合金和/或钽合金，
3.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述抗反射图案选择性地提供在所述对准标记区域中，使得所述主区域的单元没有所述抗反射图案，以及其中所述预定线宽小于所述对准标记在第一方向上的宽度。
4.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
5.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
6.一种极紫外相移掩模，包括：
7.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述抗反射图...
【技术特征摘要】
1.一种反射掩模，包括：
2.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述吸收层包括钌合金和/或钽合金，
3.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述抗反射图案选择性地提供在所述对准标记区域中，使得所述主区域的单元没有所述抗反射图案，以及其中所述预定线宽小于所述对准标记在第一方向上的宽度。
4.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
5.如权利要求1所述的反射掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
6.一种极紫外相移掩模，包括：
7.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述抗反射图案包括多个线图案，
8.如权利要求7所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
9.如权利要求7所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记包括多个标记图案，
10.如权利要求7所述的极紫外相移掩模，其中所述多个线图案与所述对准标记间隔开预定间隔。
11.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述抗反射图案包括多个孔图案，
12.如权利要求6所述的极紫外相移掩模，其中所述对准标记和所述抗反射图案暴露所述反射层的部分，以及
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【专利技术属性】
技术研发人员：裵亨钟，黄炫晶，金熙范，沈星辅，李承润，郑羽容，黄灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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