【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种光学邻近修正方法，还涉及一种掩膜版及一种可读存储介质。
技术介绍
1、随着超大规模集成电路(ulsi，ultra large scale integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。其中光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其他单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻机将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，曝光所用的波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际光刻产生的物理图形和物理版图设计的理想图形之间存在很大的差异，实际图形的形状和间距发生很大的变化，甚至影响电路的性能。
2、产生这种差异的一个重要原因是光刻所用光束波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时，光学波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时产生光学邻近效应的作用。因此，为了解决所述问题可以对所述掩膜版进行光学邻近修正(opc,optical proximity correction)。
3、目前opc是通过对掩膜版的修正，最大可能地解决光刻后的图形失真，各大厂商使用计算机辅助软件工具进行。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种光学邻近修正方法。
2、一种光学邻近修正方法，包括：获取掩膜版
3、上述光学邻近修正方法，通过检测接触孔与有源区的边缘间距是否满足预设条件来判断是否进行修正，具有较高的处理效率，且能够改善有源区的包孔精度，增大工艺窗口。
4、在其中一个实施例中，所述第一预设条件是所述间距不小于第一预设值。
5、在其中一个实施例中，所述将所述第一边缘外扩至所述间距不小于所述第一预设值的步骤包括形成一凸出部，所述凸出部的长度不小于第二预设值。
6、在其中一个实施例中，所述将所述第一边缘外扩至所述间距不小于所述第一预设值的步骤包括：将所述第一边缘的一部分外扩形成一凸出的矩形，所述矩形的长度等于所述第二边缘的长度；在长度小于所述第二预设值的所述矩形两侧增设与所述矩形连通的图形从而使所述凸出部的长度不小于第二预设值。
7、在其中一个实施例中，所述区域是静态随机存取存储器的掩膜版设计图形中的区域，所述掩膜版设计图形具有多个形状相同的静态随机存取存储器单元。
8、在其中一个实施例中，所述第一预设值是0.015nm。
9、在其中一个实施例中，所述根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形的步骤包括：计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误差，根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。
10、在其中一个实施例中，所述根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形的步骤包括：步骤a，根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整；步骤b，根据所述opc模型对所述调整后的掩膜版设计图形进行模拟，得到再次模拟曝光图形；步骤c，计算所述再次模拟曝光图形与所述调整后的掩膜版设计图形的边缘放置误差；步骤d，根据所述步骤c计算得到的边缘放置误差判断是否满足第二预设条件，若满足，则将调整后的掩膜版设计图形作为掩膜版制版图形；否则返回所述步骤a。
11、还有必要提供一种掩膜版，所述掩膜版是根据上述任一实施例所述的光学邻近修正方法得到的掩膜版制版图形制成。
12、还有必要提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的光学邻近修正方法的步骤。
13、还有必要提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一实施例所述的光学邻近修正方法的步骤。
14、还有必要提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现前述任一实施例所述的光学邻近修正方法的步骤。
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1.一种光学邻近修正方法，包括：
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一预设条件是所述间距不小于第一预设值。
3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述第一边缘外扩至所述间距不小于所述第一预设值的步骤包括形成一凸出部，所述凸出部的长度不小于第二预设值。
4.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述第一边缘外扩至所述间距不小于所述第一预设值的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述区域是静态随机存取存储器的掩膜版设计图形中的区域，所述掩膜版设计图形具有多个形状相同的静态随机存取存储器单元。
6.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一预设值是0.015nm。
7.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形的步骤包括：
8.根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设
9.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜板是根据权利要求1至8中任一项所述的光学邻近修正方法得到的掩膜版制版图形制成。
10.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，包括：
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一预设条件是所述间距不小于第一预设值。
3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述第一边缘外扩至所述间距不小于所述第一预设值的步骤包括形成一凸出部，所述凸出部的长度不小于第二预设值。
4.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述第一边缘外扩至所述间距不小于所述第一预设值的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述区域是静态随机存取存储器的掩膜版设计图形中的区域，所述掩膜版设计图形具有多个形状相同的静态随机存取存储器单元。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱斌，王浩，王谨恒，陈洁，张剑，曹楠，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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