【技术实现步骤摘要】
本公开涉及图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器包括将光学信息转换为电信号的半导体装置。图像传感器包括基于ccd(电荷耦合装置)的图像传感器和基于cmos
2、(互补金属氧化物半导体)的图像传感器。
3、图像传感器可以以封装件的形式来实现。在此情况下，封装件可以被配置为具有这样的结构：其保护图像传感器，并且此时允许光入射在光电接收表面或图像传感器的感测区域上。
技术实现思路
1、本公开的一些实施方式提供与改善的设计自由度兼容的图像传感器。在一些实施方式中，可以通过元件隔离图案来形成其中形成有电极的沟槽，例如，通过蚀刻穿过元件隔离图案而不是仅蚀刻穿过衬底的有源区域以形成沟槽。在一些实施方式中，例如，电极可以穿过/绕过元件隔离图案以具有位于元件隔离图案的底表面下方和/或位于与元件隔离图案的侧壁相邻(例如，与元件隔离图案的侧壁直接接触)的沟槽中的底表面。在一些情况下，这些和/或其它特性可以在设计有源区域(例如，有源区域的形状和/或尺寸)时允许更多的自由度。
2、根据本公开的优点不限于以上提及的优点。未提及的根据本公开的其它目的和优点可以基于以下的描述来理解，并且可以基于根据本公开的实施方式来更清楚地理解。此外，将容易地理解，根据本公开的目的和优点可以利用权利要求中示出的装置和它们的组合来实现。
3、根据本公开的一方面，提供图像传感器，图像传感器包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；有源区域
4、根据本公开的另一方面，提供图像传感器，图像传感器包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；有源区域，其设置在衬底中和光电转换区域上，其中，有源区域包括第一侧壁和第二侧壁；元件隔离图案，其设置在衬底中并且围绕有源区域；以及传输栅电极，其包括：第一部分，其从衬底的第一表面延伸并且延伸穿过元件隔离图案，其中，第一部分包括设置在第一侧壁上的第一子部分和设置在第二侧壁上的第二子部分；以及第二部分，其位于有源区域上，其中，传输栅电极在第一方向上与光电转换区域重叠，但是在衬底的第一表面或第二表面延伸的方向上不与光电转换区域重叠。
5、根据本公开的另一方面，提供图像传感器，图像传感器包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；像素隔离图案，其从衬底的第二表面延伸到衬底中，其中，像素隔离图案限定多个像素；滤色器，其设置在衬底的第一表面上；以及微透镜，其设置在滤色器上，其中，多个像素中的每一个包括：光电转换区域，其设置在衬底中；有源区域，其设置在衬底中和光电转换区域上；元件隔离图案，其从衬底的第一表面延伸到衬底中并且接触像素隔离图案，其中，元件隔离图案限定有源区域；以及传输栅电极，其包括：第一部分，其从衬底的第一表面延伸并且延伸穿过元件隔离图案；以及第二部分，其设置在有源区域上，其中，第一部分延伸穿过元件隔离图案的底表面，其中，第一部分的底表面的竖直水平低于元件隔离图案的底表面的竖直水平。
6、这些和其它实施方式的具体细节包括在具体实施方式和附图中。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述衬底的第一表面的竖直水平。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述元件隔离图案的底表面的竖直水平。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一部分的侧壁包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案设置在所述第一部分与所述有源区域之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述传输栅电极的第一部分的底表面具有台阶。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案包括彼此顺序地堆叠的第一膜、第二膜和第三膜，并且
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光电转换区域沿着所述第一方向与所述传输栅电极重叠，并且沿着与所述第一方向正交的第二方向不与所述传输栅电极重叠。
10.一种图像传感器，包括：
11.根据
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此相对。
13.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述传输栅电极的第一部分包括沿着所述第三侧壁延伸并且延伸穿过所述元件隔离图案的第三子部分。
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，所述第一子部分、所述第二子部分和所述第三子部分彼此连接。
15.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此接触。
16.一种图像传感器，包括：
17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素，所述第二像素和所述第三像素彼此相邻，
18.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述多个像素包括以两行两列布置的第一像素至第四像素，并且
19.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述图像传感器包括设置在所述有源区域中的浮置扩散区域。
20.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述多个像素包括第一像素组至第四像素组，每个像素组包括所述多个像素中的至少一个，
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述衬底的第一表面的竖直水平。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述元件隔离图案的底表面的竖直水平。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一部分的侧壁包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案设置在所述第一部分与所述有源区域之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述传输栅电极的第一部分的底表面具有台阶。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案包括彼此顺序地堆叠的第一膜、第二膜和第三膜，并且
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光电转换区域沿着所述第一方向与所述传输栅电极重叠，并且沿着与所述第一方向正交的第二方向不与所述传输栅电极重叠。
10.一种图像传感器，包括：
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述有源区域包括将所述第...
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