图像传感器制造技术

图像传感器包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；光电转换区域，其设置在衬底中；有源区域，其设置在衬底中和光电转换区域上；元件隔离图案，其从衬底的第一表面延伸到衬底中并且限定有源区域；以及传输栅电极，其包括：第一部分，其从衬底的第一表面延伸并且延伸穿过元件隔离图案；以及第二部分，其设置在有源区域上，其中，第一部分延伸穿过元件隔离图案的底表面，其中，第一部分的底表面的竖直水平低于元件隔离图案的底表面的竖直水平。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及图像传感器。

技术介绍

1、图像传感器包括将光学信息转换为电信号的半导体装置。图像传感器包括基于ccd(电荷耦合装置)的图像传感器和基于cmos

2、(互补金属氧化物半导体)的图像传感器。

3、图像传感器可以以封装件的形式来实现。在此情况下，封装件可以被配置为具有这样的结构：其保护图像传感器，并且此时允许光入射在光电接收表面或图像传感器的感测区域上。

技术实现思路

1、本公开的一些实施方式提供与改善的设计自由度兼容的图像传感器。在一些实施方式中，可以通过元件隔离图案来形成其中形成有电极的沟槽，例如，通过蚀刻穿过元件隔离图案而不是仅蚀刻穿过衬底的有源区域以形成沟槽。在一些实施方式中，例如，电极可以穿过/绕过元件隔离图案以具有位于元件隔离图案的底表面下方和/或位于与元件隔离图案的侧壁相邻(例如，与元件隔离图案的侧壁直接接触)的沟槽中的底表面。在一些情况下，这些和/或其它特性可以在设计有源区域(例如，有源区域的形状和/或尺寸)时允许更多的自由度。

2、根据本公开的优点不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述衬底的第一表面的竖直水平。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述元件隔离图案的底表面的竖直水平。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一部分的侧壁包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案设置在所述第一部分与所述有源区域之间。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述衬底的第一表面的竖直水平。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源区域的顶表面的竖直水平低于所述元件隔离图案的底表面的竖直水平。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一部分的侧壁包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案设置在所述第一部分与所述有源区域之间。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述传输栅电极的第一部分的底表面具有台阶。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述元件隔离图案包括彼此顺序地堆叠的第一膜、第二膜和第三膜，并且

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光电转换区域沿着所述第一方向与所述传输栅电极重叠，并且沿着与所述第一方向正交的第二方向不与所述传输栅电极重叠。

10.一种图像传感器，包括：

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述有源区域包括将所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慈明，金声仁，安娟秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：