一种大功率RGB多芯片阵列式LED制造技术

技术编号:40226664 阅读:19 留言:0更新日期:2024-02-02 22:30
本技术涉及一种大功率RGB多芯片阵列式LED,包括基板以及设置在所述基板上的多组RGB单元,多组所述RGB单元在所述基板上呈矩形阵列分布,所述RGB单元包括支架以及设置在所述支架内的芯片组,所述支架设置在所述基板上,所述支架上开设有容纳槽,所述芯片组设置在所述支架的容纳槽内,所述容纳槽呈下宽上窄状,所述芯片组包括绿光芯片、红光芯片和蓝光芯片,所述绿光芯片、所述红光芯片和所述蓝光芯片分别粘接在所述支架的容纳槽内之后通过树脂进行密封封装,所述支架的容纳槽的内壁设置有多层台阶,所述多层台阶的表面上均涂覆有反射层。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于led,特别是涉及一种大功率rgb多芯片阵列式led。


技术介绍

1、led(light emitting diode)作为一种优秀的半导体光电器件,以其体积小、耗电量低、使用寿命长、环保等优点,有望成为新一代理想的固态节能照明光源。目前对led进行封装后能够保证对led芯片的核心保护,但是随着led向高光强、高功率发展,多芯片led的使用越来越广泛,但是多芯片led容易出现串光问题,影响发光效果。因此,现有技术中仍存在缺点和不足之处。


技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种大功率rgb多芯片阵列式led,解决现有的多芯片led容易出现串光,影响发光效果的问题。

2、为了解决上述问题本技术所采取的技术方案:

3、一种大功率rgb多芯片阵列式led,包括基板以及设置在所述基板上的多组rgb单元,多组所述rgb单元在所述基板上呈矩形阵列分布,所述rgb单元包括支架以及设置在所述支架内的芯片组,所述支架设置在所述基板上,所述支架上开设有容纳槽,所述芯片组设置在所述支架的容纳槽内,所述容纳槽呈下宽上窄状,所述芯片组包括绿光芯片、红光芯片和蓝光芯片,所述绿光芯片、所述红光芯片和所述蓝光芯片分别粘接在所述支架的容纳槽内之后通过树脂进行密封封装,所述支架的容纳槽的内壁设置有多层台阶,所述多层台阶的表面上均涂覆有反射层。

4、进一步的,所述基板的内部设置有导热通道。

5、进一步的,所述导热通道包括主通道以及多个副通道,所述主通道设置在所述基板内部,所述主通道所处平面平行于所述基板,所述副通道与所述rgb单元一一对应,所述副通道垂直于所述基板设置,所述副通道的一端与所述主通道连通,所述副通道的另一端与所述支架内的容纳槽连通。

6、进一步的,所述芯片组的表面设置有一层荧光粉层。

7、进一步的,所述基板与所述支架之间设置有导热硅脂层。

8、进一步的,所述芯片组与所述支架之间设置有导热硅脂层。

9、进一步的,多组所述rgb单元以3*5的方式排布在所述基板上。

10、进一步的,所述基板上设置有多个散热孔。

11、采用上述技术方案,本技术的有益效果:

12、本技术的大功率rgb多芯片阵列式led包括基板以及设置在基板上的多组rgb单元,多组rgb单元在基板上呈矩形阵列分布,rgb单元包括支架以及设置在支架内的芯片组,支架设置在所述基板上,支架由不透光材料制成,能够避免不同rgb单元之间串光;支架上开设有容纳槽,芯片组设置在支架的容纳槽内,容纳槽呈下宽上窄状,通过这样的设置,能够改变rgb单元的出光角度,防止不同rgb单元之间发生串光;芯片组包括绿光芯片、红光芯片和蓝光芯片,绿光芯片、红光芯片和蓝光芯片分别粘接在支架的容纳槽内之后通过树脂进行密封封装,所述支架的容纳槽的内壁设置有多层台阶,所述多层台阶的表面上均涂覆有反射层,反射层能够提高光的反射效率,从而提高rgb单元的发光光效。

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【技术保护点】

1.一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:包括基板以及设置在所述基板上的多组RGB单元,多组所述RGB单元在所述基板上呈矩形阵列分布,所述RGB单元包括支架以及设置在所述支架内的芯片组,所述支架设置在所述基板上,所述支架上开设有容纳槽,所述芯片组设置在所述支架的容纳槽内,所述容纳槽呈下宽上窄状,所述芯片组包括绿光芯片、红光芯片和蓝光芯片,所述绿光芯片、所述红光芯片和所述蓝光芯片分别粘接在所述支架的容纳槽内之后通过树脂进行密封封装,所述支架的容纳槽的内壁设置有多层台阶,所述多层台阶的表面上均涂覆有反射层。

2.根据权利要求1所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:所述基板的内部设置有导热通道。

3.根据权利要求2所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:所述导热通道包括主通道以及多个副通道,所述主通道设置在所述基板内部,所述主通道所处平面平行于所述基板,所述副通道与所述RGB单元一一对应,所述副通道垂直于所述基板设置,所述副通道的一端与所述主通道连通,所述副通道的另一端与所述支架内的容纳槽连通。

4.根据权利要求1所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:所述芯片组的表面设置有一层荧光粉层。

5.根据权利要求1所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:所述基板与所述支架之间设置有导热硅脂层。

6.根据权利要求1所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:所述芯片组与所述支架之间设置有导热硅脂层。

7.根据权利要求1所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:多组所述RGB单元以3*5的方式排布在所述基板上。

8.根据权利要求1所述的一种大功率RGB多芯片阵列式LED,其特征在于:所述基板上设置有多个散热孔。

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【技术特征摘要】

1.一种大功率rgb多芯片阵列式led,其特征在于:包括基板以及设置在所述基板上的多组rgb单元,多组所述rgb单元在所述基板上呈矩形阵列分布,所述rgb单元包括支架以及设置在所述支架内的芯片组,所述支架设置在所述基板上,所述支架上开设有容纳槽,所述芯片组设置在所述支架的容纳槽内,所述容纳槽呈下宽上窄状,所述芯片组包括绿光芯片、红光芯片和蓝光芯片,所述绿光芯片、所述红光芯片和所述蓝光芯片分别粘接在所述支架的容纳槽内之后通过树脂进行密封封装,所述支架的容纳槽的内壁设置有多层台阶,所述多层台阶的表面上均涂覆有反射层。

2.根据权利要求1所述的一种大功率rgb多芯片阵列式led,其特征在于:所述基板的内部设置有导热通道。

3.根据权利要求2所述的一种大功率rgb多芯片阵列式led,其特征在于:所述导热通道包括主通道以及多个副通道,所述主通道设置在所述基板内部,所述主通...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁贺高健杜琤王治邦朱德平张金龙龚克王鹏
申请(专利权)人:今上半导体信阳有限公司
类型:新型
国别省市:

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