【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体的，涉及芯片封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着人们对电子产品功能更完善的不断追求，集成电路集成度越来越高，芯片的数量不断增多，系统模块的集成度也越来越高，这就迫使芯片(ic)级封装与线路板(pcb)级封装技术联系越来越密切，从而埋入封装(embedded component packaging)方式应运而生，但对于高度大于200μm的大尺寸芯片，现有封装结构易出现介质层缺胶、分层等可靠性风险，所以亟待解决此问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种芯片封装结构，该芯片封装结构可以有效的对芯片进行封装，保证芯片完全埋入基板中。
2、在本专利技术的一方面，本专利技术提供了一种芯片封装结构。根据本专利技术的实施例，该芯片封装结构包括：封装基板，所述封装基板开设有通孔，且所述封装基板具有相对设置的第一表面和第二表面；芯片，所述芯片容置于所述通孔中，所述芯片相对的两个表面分别与第一介质层，所述第一介质层贴合于所述第一表面设置；第二介质层，所述第二介质层贴合于所述第二表面设置；填充胶，所述填充胶容置于所述芯片与所述封装基板、所述第一介质层、所述第二介质层围成的环形间隙中，其中，所述间隙的横截面宽度为5μm-25μm(比如间隙的横截面宽度为5μm、8μm、10μm、12μm、15μm、17μm、20μm、23μm、25μm等)。由此，通过在第一介质层和第二介质层之间的芯
3、根据本专利技术的实施例，所述填充胶中具有孔洞，所述孔洞的直径小于等于2μm，任选的，在所述填充胶的任一截面中，所述孔洞的面积比例小于等于1％。
4、根据本专利技术的实施例，所述间隙完全被所述填充胶填充。
5、根据本专利技术的实施例，所述第一介质层与所述封装基板的高度比例为0.3:1-0.6:1；所述第二介质层与所述封装基板的高度比例为0.3:1-0.6:1。
6、根据本专利技术的实施例，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度分别为30μ～60μm。
7、根据本专利技术的实施例，该芯片封装结构还包括：第一导电层，所述第一导电层设置在所述第一介质层远离所述芯片的表面上；第二导电层，所述第二导电层设置在所述第二介质层远离所述芯片的表面上。
8、在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种制备前面所述的芯片封装结构的方法。根据本专利技术的实施例，制备芯片封装结构的方法包括：在封装基板的至少一个预定区域形成贯穿所述封装基板的通孔；在通孔中放置芯片，且所述芯片与所述封装基板的侧壁具有间隙；在所述间隙中填充液态胶；对所述液态胶进行固化处理，得到填充胶；在所述封装基板的第一表面上形成第一介质层，且所述第一介质层覆盖所述芯片和所述填充胶靠近所述第一表面的表面；在所述封装基板的第二表面上形成第二介质层，且所述第二介质层覆盖所述芯片和所述填充胶靠近所述第二表面的表面。由此，通过在芯片与通孔侧壁之间的间隙填充填充胶，避免间隙中出现缺胶、分层等不良风险，然后再采用第一介质层和第二介质层进行封装，如此可以使得填充胶更为充分的填充间隙，避免采用第一介质层和第二介质层进行填充间隙而导致间隙的填充性差，而且避免在第一介质层和第二介质层进行压合过程中芯片发生偏移，进而避免后续的加工制程中出现导孔盲孔偏位甚至无法导通的不良现象；而且，采用在间隙中填充填充胶，然后利用第一介质层和第二介质层进行封装时可以选用厚度相对较薄的第一介质层和第二介质层，进而有利于实现封装模块的小型化或超薄化；另外，本专利技术的上述封装结构可以不仅可以针对小尺寸芯片的封装，还可以有效应用于大尺寸(比如芯片高度大于等于200μm的大芯片)的芯片封装。
9、根据本专利技术的实施例，所述液态胶的粘度为200dpa.s～500dpa.s。
10、根据本专利技术的实施例，所述液态胶的填充方法为3d打印。
11、根据本专利技术的实施例，所述固化处理的温度为100℃～140℃，时间为60min～120min。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述填充胶中具有孔洞，所述孔洞的直径小于等于2μm，任选的，在所述填充胶的任一截面中，所述孔洞的面积比例小于等于1％。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述间隙完全被所述填充胶填充。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一介质层与所述封装基板的高度比例为0.3:1-0.6:1；所述第二介质层与所述封装基板的高度比例为0.3:1-0.6:1。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度分别为30μm～60μm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
7.一种制备权利要求1～6中任一项所述的芯片封装结构的方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7中所述的方法，其特征在于，所述液态胶的粘度为200dPa.S～500dPa.S。
9.根据权利要求7中所述的方法，其特征在于，所述液态胶的填
10.根据权利要求7中所述的方法，其特征在于，所述固化处理的温度为100℃～140℃，时间为60min～120min。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述填充胶中具有孔洞，所述孔洞的直径小于等于2μm，任选的，在所述填充胶的任一截面中，所述孔洞的面积比例小于等于1％。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述间隙完全被所述填充胶填充。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一介质层与所述封装基板的高度比例为0.3:1-0.6:1；所述第二介质层与所述封装基板的高度比例为0.3:1-0.6:1。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景峰，王文博，李龙，唐晓杰，邓钧运，陈雪莲，陈定会，徐雨，潘沛峰，王文政，汪丛敏，杨劲松，张贵中，陈佳嫣，张锡波，应建国，
申请(专利权)人：甬江实验室，
类型：发明
国别省市：
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