【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种器件封装及半导体封装。
技术介绍
1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高是由于最小部件大小的迭代减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子设备的需求不断增长，出现了对更小、更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。
2、随着半导体技术的进一步发展，叠层和接合的半导体器件已成为进一步减小半导体器件实体大小的有效替代方案。在叠层的半导体器件中，诸如逻辑、存储器、处理器电路等的有源电路至少部分地制造在单独的衬底上，然后实体和电性接合在一起以形成功能器件。这种接合工艺利用复杂的技术，并且需要改进。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种器件封装，包括：第一半导体器件，包括第一接合层；第二半导体器件，接合到所述第一半导体器件的所述第一接合层；多个散热结构，设置在所述第二半导体器件旁边及所述第一接合层上，其中所述散热结构包括导电材料，其中所述散热结构与所述第一半导体器件及所述第二半导体器件电绝缘；密封剂，设置在所述第一接合层上，其中所述密封剂围绕所述第二半导体器件并且围绕多个所述散热结构；以及第二接合层，设置在所述密封剂、多个所述散热结构和所述第二半导体器件上方。
2、本技术实施例提供一种半导体封装，包括：介电层，在半导体衬底上方；第一半导体管芯，接合到所述介电层；密封剂，设置在所述介电层上方和所述第一半导体管芯的侧壁上，其中所述密封剂具有第一热
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1.一种器件封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构包括第三接合层，其中所述第三接合层接合到所述第二接合层。
3.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于所述散热结构是墙壁形状。
4.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于所述散热结构是柱状。
5.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于所述密封剂的顶表面和多个所述散热结构的顶表面齐平。
6.一种半导体封装，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，还包括第二散热结构，所述第二散热结构贯穿所述密封剂以实体接触所述介电层，其中所述第二散热结构具有所述第二热导率，所述第二散热结构与所述第一散热结构设置于所述第一半导体管芯的相对侧。
8.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体衬底包括金属化层，所述第一散热结构通过所述介电层与所述金属化层绝缘。
9.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，所述第一接合层包括第一金属部分并且所述第二接合层包
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，所述第二金属部分实体接触所述支撑衬底。
...【技术特征摘要】
1.一种器件封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构包括第三接合层，其中所述第三接合层接合到所述第二接合层。
3.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于所述散热结构是墙壁形状。
4.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于所述散热结构是柱状。
5.根据权利要求1所述的器件封装，其特征在于所述密封剂的顶表面和多个所述散热结构的顶表面齐平。
6.一种半导体封装，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，还包括第二散热...
【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，黄建元，王垂堂，顾诗章，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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