【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于插层氧基氯化铁领域,具体的说,涉及一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用。
技术介绍
1、高级氧化技术能够产生具有强氧化能力的活性自由基(如·oh和so4–),常被用于处理水中难降解的有机污染物,过硫酸根离子具有一定的氧化性,其氧化还原电位为2.1v,但经活化后产生的硫酸根自由基具有更高的氧化还原电位(2.5~3.1v),对难降解有机污染物有更好的去除效果。且与羟基自由基相比,硫酸根自由基氧化能力更强,能够更快、更彻底地降解有机污染物,因此过硫酸盐常用于氧化处理污水。
2、氧基氯化铁是一种高效的fenton催化剂,表现出比其它铁基催化剂更好的性能,但在温和条件(中性溶液、自然光和室温)下使用时,feocl催化剂仍然远远不能令人满意。在非均相fenton反应中,以氧基氯化铁化合物为催化剂,过一硫酸盐为氧化剂,对有机物的降解效率低下,且只能在酸性条件下对有机物起到有效分解。
技术实现思路
1、针对
技术介绍
中存在的问题,本专利技术提供了一种羟胺插层氧基氯化铁材料及 ...
【技术保护点】
1.一种羟胺插层氧基氯化铁材料,其特征在于,所述的羟胺插层氧基氯化铁材料为层间插有羟胺的氯氧化铁。
2.一种羟胺插层氧基氯化铁材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,氯氧化铁与羟胺的摩尔比为1:4-8。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)的羟胺溶液为羟胺的甲醇溶液,浓度为0.30-0.60mol/L 。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述的洗涤是指用乙醇洗涤。
6.如权利要求1至5任一项所述的羟胺插层
...【技术特征摘要】
1.一种羟胺插层氧基氯化铁材料,其特征在于,所述的羟胺插层氧基氯化铁材料为层间插有羟胺的氯氧化铁。
2.一种羟胺插层氧基氯化铁材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,氯氧化铁与羟胺的摩尔比为1:4-8。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)的羟胺溶液为羟胺的甲醇溶液,浓度为0.30-0.60mol/l 。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐西蒙,张舒静,王御豪,杨盈,
申请(专利权)人:昆明理工大学,
类型:发明
国别省市:
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