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本发明涉及一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用，属于插层氧基氯化铁领域，本发明的制备方法所制得羟胺插层氧基氯化铁材料，羟胺有效插层至氧基氯化铁的层间，氧基氯化铁材料层间距有效扩大，主衍射峰前移；所得的羟胺插层氧基氯化铁材料，可有效提...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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