【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于存储，具体涉及一种存储结构、电子设备。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，dram存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，dram存储器的应用日益广泛。
2、存储器具有较高的集成度是重要的发展方向，以满足消费者对优良的性能以及低廉的价格的需求。对于存储器，由于它们的集成度会是决定产品价格的重要因素，因此会特别期望提高集成度。对于二维或平面存储装置，由于它们的集成度主要由存储结构占据的面积决定，因此集成度受精细图案形成技术的水平的影响很大。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种存储结构，包括基底以及设置在所述基底上的相互间隔设置的存储单元组，所述存储单元组包括多个相互间隔设置的存储单元；其中，每个所述存储单元包括...
【技术保护点】
1.一种存储结构，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的相互间隔设置的存储单元组，所述存储单元组包括多个相互间隔设置的存储单元；其中，每个所述存储单元包括在垂直所述基底的方向上依次层叠设置的两个晶体管，所述存储单元组中的部分或全部存储单元在所述基底正投影的几何中心的连接线为六边形。
2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述存储单元依次层叠设置的两个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述基底的正投影存在交叠区域，所述第二晶体管位于所述第一晶体管远离所述基底一侧，所述第一晶体管和第二晶体管均为垂直晶体管。
<...【技术特征摘要】
1.一种存储结构，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的相互间隔设置的存储单元组，所述存储单元组包括多个相互间隔设置的存储单元；其中，每个所述存储单元包括在垂直所述基底的方向上依次层叠设置的两个晶体管，所述存储单元组中的部分或全部存储单元在所述基底正投影的几何中心的连接线为六边形。
2.根据权利要求1所述的存储结构，其特征在于，所述存储单元依次层叠设置的两个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述基底的正投影存在交叠区域，所述第二晶体管位于所述第一晶体管远离所述基底一侧，所述第一晶体管和第二晶体管均为垂直晶体管。
3.根据权利要求2所述的存储结构，其特征在于，所述第一晶体管包括：
4.根据权利要求3所述的存储结构，其特征在于，还包括第一字线、第一位线、第二字线和第二位线，所述第一字线与所述第一栅极连接，所述第一位线与所述第二电极连接，所述第二字线与所述第二栅极连接，所述第二位线与所述第四电极连接；其中，所述第一字线、第一位线、第二字线和第二位线的延伸方向至少为三个延伸方向，所述三个延伸方向相互交叉。
5.根据权利要求4所述的存储结构，其特征在于，所述第一字线、第一位线、第二字线和第二位线中的其中两个延伸方向相同。
6.根据权利要求5所述的存储结构，其特征在于，所述第一字线、第一位线、第二字线和第二位线为四条信号线，且所述第一字线、第一位线、第二字线和第二位线分别位于不同的信号线层，位于相邻信号线层中的两条信号线的延伸方向不同。
7.根据权利要求6所述的存储结构，其特征在于，所述第一字线的延伸方向与所述第一位线的延伸方向交叉，所述第二字线的延伸方向与所述第二位线的延伸方向交叉，所述第一字线和所述第一位线其中的一个的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉科，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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