三维半导体结构及其形成方法技术

一种三维半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括，刻蚀源极区域和漏极区域的堆叠结构，在所述源极区域和所述漏极区域的堆叠结构中形成沿第一方向延伸的且垂直贯穿堆叠结构的若干平行的第一沟槽，沟道区域剩余的若干层半导体层作为若干层沟道主体层，所述沟道主体层沿第二方向延伸且所述沟道主体层包括沿第二方向排布的若干沟道区；在所述若干层沟道主体层的沿第二方向上的端部中形成贯穿所述端部的通孔，所述通孔暴露出半导体衬底的表面；在所述通孔中填充导电材料，形成接地导电插塞。通过形成沟道主体层和接地导电插塞使得所述若干沟道区可以接地，防止浮体效应的产生。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储器领域，尤其涉及一种三维半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

2、为了提高集成度，现有3d dram制作过程中晶体管通常会采用多层堆叠的横向晶体管结构。而多层堆叠的横向晶体管结构中由于横向晶体管的沟道区域都是浮空的，电荷容易在沟道区域积累带来浮体效应，浮体效应会带来很多不良后果(比如会引起kink现象、bjt放大、漏击穿电压降低、gidl电流增大等)，严重影响器件的性能，甚至使器件失效。

技术实现思路

1、本申请一些实施例提供了一种三维半导体结构的形成方法，包括：

2、提供半导体衬底；

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述漏极区域的相邻所述第一沟槽之间剩余的沿第一方向延伸的若干层半导体层进行掺杂形成漏区，对所述源极区域的相邻所述第一沟槽之间剩余的沿第一方向延伸的若干层半导体层进行掺杂形成源区，所述源区位于相应的漏区的延伸方向上，且所述源区与相应的所述漏区均与相应的所述沟道区连接。

4.如权利要求3所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，所述漏区的掺杂类型与源区的掺杂类型相同，且与...

【技术特征摘要】

1.一种三维半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述漏极区域的相邻所述第一沟槽之间剩余的沿第一方向延伸的若干层半导体层进行掺杂形成漏区，对所述源极区域的相邻所述第一沟槽之间剩余的沿第一方向延伸的若干层半导体层进行掺杂形成源区，所述源区位于相应的漏区的延伸方向上，且所述源区与相应的所述漏区均与相应的所述沟道区连接。

4.如权利要求3所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，所述漏区的掺杂类型与源区的掺杂类型相同，且与所述沟道区的掺杂类型相反。

5.如权利要求4所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体层中预掺杂有p型杂质离子，所述沟道区中掺杂的杂质离子为p型杂质离子。

6.如权利要求3所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，形成贯穿竖直方向上的多个所述漏区的第二通孔；在所述第二通孔中形成位线。

7.如权利要求1所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上具有接地端，所述接地导电插塞与所述接地端连接。

8.如权利要求1所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，所述接地导电插塞的材料为掺杂的半导体材料或金属。

9.如权利要求2所述的三维半导体结构的形成方法，其特征在于，所述环状的第一开口的深度为所述沟道主体层的厚度的30％-45％，所述环状的第一开口的沿第二方向上的宽度为所述沟道区沿第二方向上的宽度的80％-95％。

10.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：林超，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：