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一种存储结构、电子设备，该存储结构包括基底以及设置在所述基底上的相互间隔设置的存储单元组，所述存储单元组包括多个相互间隔设置的存储单元；其中，每个所述存储单元包括在垂直所述基底的方向上依次层叠设置的两个晶体管，所述存储单元组中的部分或全部存...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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