【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺节点的降低和芯片设计复杂程度的增加，同一层结构的不同的形状、相同形状的不同位置会有刻蚀负载效应(loading effect)的产生，导致实际的工艺监控难度的增加。请参阅图1～图2，其中，图1为现有技术中密封环(seal ring)中接触条(viabar)和接触孔(via)的布局示意图，图2为图1沿aa’方向的剖视图。如图1～图2所示，在接触条11和接触孔12同时存在的情况下，由于所示接触条11和所述接触孔12的结构差异，在刻蚀过程中可能会出现刻蚀不足的问题，影响密封环10的连接性和隔离性。
2、因此，如何改善密封环结构，提高密封环的连接性和隔离性，是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是如何改善密封环结构，提高密封环的连接性和隔离性，提供一种半导体测试结构及半导体测试方法。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体测试结构，包括：第一金属层，所述第一金属层包括多个间隔排布的第一金属条；接触层，形成于所述第一金属层上，所述接触层包括多组间隔排布的接触结构，每组所述接触结构包括形成于同一所述第一金属条上且间隔排布的接触条与接触孔；第二金属层，形成于所述接触层上，所述第二金属层包括多个间隔排布的第二金属条；相邻两所述接触结构的前一接触结构中的所述接触孔和后一接触结构中的所述接触条与同一所述第二金属条相接触，从而所有所述第一金
3、在一些实施例中，所述接触条的延伸方向与所述第一金属条的延伸方向相同。
4、在一些实施例中，所述串联结构的两端连接至测试焊盘。
5、在一些实施例中，所述半导体测试结构能够通过测量所述串联结构的电阻，以监控刻蚀负载影响及所述串联结构的完整性。
6、在一些实施例中，所述接触条的长度为一固定值。
7、在一些实施例中，所述半导体测试结构能够通过建立所述接触条宽度与所述串联结构电阻的对应关系，以完成对工艺窗口的监控。
8、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体测试方法，包括如下步骤：提供一半导体测试结构，所述半导体测试结构采用本专利技术所述的半导体测试结构；测量所述半导体测试结构的所述串联结构的电阻，以监控刻蚀负载影响及所述串联结构完整性。
9、在一些实施例中，所述半导体测试方法还包括如下步骤：提供多个所述半导体测试结构，同一所述半导体测试结构的所述串联结构中的各所述接触条的宽度相同，不同所述半导体测试结构的所述串联结构中所述接触条宽度不同；测量每一所述半导体测试结构的所述串联结构的电阻；建立所述接触条宽度与所述串联结构的电阻的对应关系，以完成对半导体工艺窗口的监控。
10、在一些实施例中，所有所述半导体测试结构的所述串联结构中的所述接触条宽度逐渐增大。
11、在一些实施例中，所述半导体测试方法进一步包括：将测量所得的每一所述串联结构的电阻分别与预设阈值进行对比，获取满足所述预设阈值的所述串联结构的电阻所对应的所述接触条宽度，进而获得半导体工艺窗口参数。
12、在一些实施例中，所述半导体测试方法进一步包括：对满足所述预设阈值的所述串联结构的电阻所对应的所述接触条宽度排序，根据所述接触条宽度的最小值和最大值确认工艺窗口参数范围。
13、上述技术方案通过设置包含接触条和接触孔的接触结构，以串联所有的第一金属条、第二金属条形成串联结构，通过测量半导体测试结构的串联结构的电阻，以监控刻蚀负载影响及所述串联结构完整性。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述接触条的延伸方向与所述第一金属条的延伸方向相同。
3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述串联结构的两端连接至测试焊盘。
4.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构能够通过测量所述串联结构的电阻，以监控刻蚀负载影响及所述串联结构的完整性。
5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述接触条的长度为一固定值。
6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构能够通过建立所述接触条宽度与所述串联结构电阻的对应关系，以完成对工艺窗口的监控。
7.一种半导体测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所有所述半导体测试结构的所述串联结构中的所述接触条宽度逐渐增大。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述半导体测试方法进一步包括：对满足所述预设阈值的所述串联结构的电阻所对应的所述接触条宽度排序，根据所述接触条宽度的最小值和最大值确认工艺窗口参数范围。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述接触条的延伸方向与所述第一金属条的延伸方向相同。
3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述串联结构的两端连接至测试焊盘。
4.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构能够通过测量所述串联结构的电阻，以监控刻蚀负载影响及所述串联结构的完整性。
5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述接触条的长度为一固定值。
6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构能够通过建立所述接触条宽度与所述串联结构电阻的对应关系，以完成对工艺窗口的监控。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李留洋，谷东光，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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