存储单元的制备方法技术

本申请实施例提供了一种存储单元的制备方法。该制备方法包括：制备超晶格层，包括第一牺牲层和半导体层；图案化超晶格层，形成多个超晶格条，划分为多个半导体母线，半导体母线的延伸方向与衬底的表面平行；图案化半导体母线，形成多个超晶格柱，分为多个半导体子线；在半导体子线上依次形成源极区、沟道区和漏极区；去除第一牺牲层；在半导体子线的表面依次制备栅极绝缘层和栅极。本申请实施例通过制备全环绕栅极，在垂直方向上具有更高的集成自由度，减少横截面面积；又通过制备平行于衬底的半导体子线，增大相邻位线之间的间距，增大纵截面面积，为位线的制备留足了空间，改善相邻位线之间的耦合效应和串扰现象。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种存储单元的制备方法。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)采用有效单元尺寸为4f2的架构，可提高存储密度。但是在4f2架构中，相邻两个位线之间的间距(spacing)过小，耦合效应(bitline to bitline coupling)更加严重，相邻位线之间容易发生串扰现象。

技术实现思路

1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种存储单元的制备方法，用以解决相关技术中存在的存储单元面积过大、相邻两个存储单元的中心之间的间距过大、相邻两个位线之间的间距过小、容易产生耦合效应和串扰现象等技术问题中的至少一个方面。

2、第一个方面，本申请实施例提供了一种存储单元的制备方法，包括：

3、在衬底的一侧制备超晶格层，超晶格层包括周期性层叠的第一牺牲层和初始半导体层；

4、图案化第一牺牲层和初始半导体层，形成多个沿行方向延伸且在列方向上间隔排布的第一沟槽，相邻的第一沟槽之间形成超晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述图案化所述第一牺牲层和所述初始半导体层，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述平坦化所述超晶格条，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述图案化所述第一牺牲层和所述半导体母线，包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底的一侧制备依次层叠的伪栅、第二衬垫层、抛光停止层、图案化薄膜，包括：

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在相邻的所述伪栅之间依次制备层叠的第二...

【技术特征摘要】

1.一种存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述图案化所述第一牺牲层和所述初始半导体层，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述平坦化所述超晶格条，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述图案化所述第一牺牲层和所述半导体母线，包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底的一侧制备依次层叠的伪栅、第二衬垫层、抛光停止层、图案化薄膜，包括：

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永杰，王桂磊，平延磊，韩宝东，孟敬恒，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：