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本申请实施例提供了一种存储单元的制备方法。该制备方法包括：制备超晶格层，包括第一牺牲层和半导体层；图案化超晶格层，形成多个超晶格条，划分为多个半导体母线，半导体母线的延伸方向与衬底的表面平行；图案化半导体母线，形成多个超晶格柱，分为多个半导...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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