一种垂直结构高压Micro LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构高压Micro LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该芯片设有外延层通孔，贯穿第二外延层与第一外延层的至少部分，或者贯穿第二外延层的至少部分，外延层通孔内第一N型半导体层或第二N型半导体层上设有N型第一电极，透明导电层上设有P型第一电极，钝化层覆盖于芯片表面且贯穿设有N型导电通孔与P型导电通孔，以分别暴露出N型第一电极与N型第二电极，钝化层之上设有N型第二电极与P型第二电极，N型第二电极通过N型导电通孔与N型第一电极接触，P型第二电极通过P型导电通孔与P型第一电极接触。本发明专利技术中垂直结构的高压Micro LED芯片，使其既能保证Micro LED的结构强度，又能有效的提升Micro LED芯片的光效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种垂直结构高压micro led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、micro led微显示技术，具有自发光特性，每一点像素都能单独驱动发光，优点包括高亮度、低功耗、体积小、超高分辨率与色彩饱和度等。micro led芯片的光效会随着电流密度的变化而变化，当小于某个特定值，电流密度越大，光效越高；当大于某个特定值，电流密度越大，光效越低，也就是光效在某个特定电流密度下具有最高值。而micro led芯片的应用电流密度往往都比较小，从而导致光效低。在常规传统led芯片中，通过制备出高压led芯片可以改善这个问题，但目前因为micro led芯片需要剥离衬底，导致无法制备micro高压led芯片。

2、常规传统高压led芯片晶圆，通过刻蚀去除至少部分的外延层，露出衬底，形成常规隔离槽，从而制备出高压芯片。其中，桥接电极通过衬底表面贯穿两个芯片，实现两个芯片的正负极连接，从而形成高压芯片。

3、然而，要制备micro芯片，就需要剥离掉衬底，这样就会使得隔离槽之上的桥接电极发生断裂，无法制备出micro高压本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直结构高压Micro LED芯片，其特征在于，所述芯片包括：

2.根据权利要求1所述的垂直结构高压Micro LED芯片，其特征在于，所述第一外延层的厚度为4μm-8μm，所述第一P型半导体层与所述第一发光层的厚度和为0.5μm-1.2μm。

3.根据权利要求2所述的垂直结构高压Micro LED芯片，其特征在于，所述第二外延层的厚度为1.5μm-4μm，所述第二P型半导体层与所述第二发光层的厚度和为0.5μm-1.2μm。

4.根据权利要求3所述的垂直结构高压Micro LED芯片，其特征在于，当所述外延层通孔贯穿所述第二外延层与所述第一外...

【技术特征摘要】

1.一种垂直结构高压micro led芯片，其特征在于，所述芯片包括：

2.根据权利要求1所述的垂直结构高压micro led芯片，其特征在于，所述第一外延层的厚度为4μm-8μm，所述第一p型半导体层与所述第一发光层的厚度和为0.5μm-1.2μm。

3.根据权利要求2所述的垂直结构高压micro led芯片，其特征在于，所述第二外延层的厚度为1.5μm-4μm，所述第二p型半导体层与所述第二发光层的厚度和为0.5μm-1.2μm。

4.根据权利要求3所述的垂直结构高压micro led芯片，其特征在于，当所述外延层通孔贯穿所述第二外延层与所述第一外延层的至少部分以暴露出所述第一n型半导体层时，所述外延层通孔的深度为2.2μm-6.2μm，所述外延层通孔的孔径为5μm-20μm；

5.根据权利要求1所述的垂直结构高压micro led芯片，其特征在于，当所述外延层通孔仅贯穿所述第二外延层的至少部分以暴露出所述第二n型半导体层时，所述第一外延层的第一p型半导体层与所述第二外延层的第二n型半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，汪恒青，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：