一种高压Micro LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高压Micro LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；在支撑层之上制作外延层；对外延层进行刻蚀，暴露出支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔开；在外延层之上制作芯片层；在外延隔离槽内的支撑层之上依次制作电流阻挡层与桥接电极，桥接电极将芯片层的正负极串联；采用激光对激光剥离层进行照射，激光剥离层在高温作用下分解，使衬底脱离，得到高压Micro LED芯片。本发明专利技术解决了现有技术中旨在解决现有技术中Micro LED芯片需要剥离衬底，导致无法制备Micro高压LED芯片，无法有效提升Micro LED芯片的光效的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种高压micro led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、micro led微显示技术，具有自发光特性，每一点像素都能单独驱动发光，优点包括高亮度、低功耗、体积小、超高分辨率与色彩饱和度等。相较于同为自发光显示的oled技术，micro led不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，也能避免产生残影现象，所以micro led显示技术是未来的发展趋势，具有很大的市场前景。

2、micro led芯片的光效会随着电流密度的变化而变化，当小于某个特定值，电流密度越大，光效越高；当大于某个特定值，电流密度越大，光效越低，也就是光效在某个特定电流密度下具有最高值。而micro led芯片的应用电流密度往往都比较小，从而导致光效低。

3、然而，在常规传统led芯片中，通过制备出高压led芯片可以改善这个问题，但目前因为micro led芯片在制作过程中需要剥离衬底，衬底剥离后并不能有效保证芯片的结构强度，使得用于将外延层正负极高压串联的电极发生断裂，无法制备micro高压led芯片，无法有效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述衬底之上制作激光剥离层的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度为0.5μm-3μm，所述第一预设材料为GaN材料。

4.根据权利要求1所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述激光剥离层上制作支撑层的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的高压Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚...

【技术特征摘要】

1.一种高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，在所述衬底之上制作激光剥离层的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度为0.5μm-3μm，所述第一预设材料为gan材料。

4.根据权利要求1所述的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，在所述激光剥离层上制作支撑层的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度为2μm-20μm，所述第二预设材料包括aln、sio2、al2o3材料。

6.根据权利要求1所述的高压micro led芯片的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，汪恒青，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：