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本发明公开了一种高压Micro LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底之上分别制作激光剥离层与支撑层；在支撑层之上制作外延层；对外延层进行刻蚀，暴露出支撑层的表面，得到外延隔离槽，以将外延PN结隔...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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