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本发明公开了一种垂直结构高压Micro LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该芯片设有外延层通孔，贯穿第二外延层与第一外延层的至少部分，或者贯穿第二外延层的至少部分，外延层通孔内第一N型半导体层或第二N型半导体层上设有N型第一电...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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