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用于LTCC基板的导电浆料及其制备方法技术

技术编号:40192855 阅读:4 留言:0更新日期:2024-01-26 23:54
本发明专利技术提出了一种用于LTCC基板的导电浆料及其制备方法,导电浆料按重量份数计算,包括:银粉70‑80份、玻璃粉0.5‑1份、溶剂5‑10份、有机载体1‑5份、流平剂0.1‑0.5份和触变剂0.1‑2份,其中所述银粉由棒状银粉、纳米银粉和片状银粉组成,银粉的平均粒径不超过30μm,棒状银粉:纳米银粉:片状银粉的质量比为1:(0.6‑0.9):(0.2‑0.3)。本发明专利技术的导电浆料采用特定比例的棒状银粉、纳米银粉和片状银粉进行级配,改善了最终所得电极膜的外表形态和导电性能,具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电浆料,尤其涉及一种用于ltcc基板的导电浆料及其制备方法。


技术介绍

1、ltcc(低温共烧陶瓷-low temperature co-fired ceramic)是一种先进的陶瓷材料,广泛用于微波和射频电子器件的制造,它具有低介电常数、低损耗、优良的尺寸稳定性等特性。

2、目前ltcc陶瓷在制备电子器件的过程中,需要配合导电浆料进行印刷烧结处理,而烧结过程中,由于导电浆料与陶瓷基板之间存在收缩率的差距,现有的导电浆料在烧结后容易存在表面不平整,内部存在缝隙或孔洞的情况,这会导致最终所得到的导电膜层的导电性能、可焊接性能等下降。因此,开发一种具有良好的共烧适配性的导电浆料成为目前亟待解决的技术问题之一。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提出了一种用于ltcc基板的导电浆料及其制备方法,该导电浆料通过对银粉原料进行优选复配,从而提高了与ltcc陶瓷基板之间的适配性,烧制后大幅度降低了孔隙开裂问题,提高了表面平整性和导电性能。

2、本专利技术的技术方案是这样实现的:本专利技术提供了一种用于ltcc基板的导电浆料,该浆料按重量份数计算,包括:银粉70-80份、玻璃粉0.5-1份、溶剂5-10份、有机载体1-5份、流平剂0.1-0.5份和触变剂0.1-2份,其中所述银粉由棒状银粉、纳米银粉和片状银粉组成,银粉的平均粒径不超过30μm,棒状银粉:纳米银粉:片状银粉的质量比为1:(0.6-0.9):(0.2-0.3)。

3、在一些优选的实施方式中,银粉中,棒状银粉:纳米银粉:片状银粉的质量比为1:0.75:0.25。

4、银粉在烧结的过程中,由于其堆积密度欠佳,因此相比ltcc基板而言,烧结收缩率偏大,这导致了导电浆料的涂膜在烧结过程中表面以及内部出现较剧烈的坍缩,最终导致烧结后的电极表面出现大量凹槽,内部大量空穴,表面平整度差,现有技术中一般通过不同粒径的银粉进行级配,通过小尺寸银粉对大尺寸银粉之间的空隙进行填充以降低收缩率,然而受限于纳米银粉的比表面积过大,容易团聚,在实际的应用中,团聚的纳米银粉仍然会导致无法良好流动而产生填充空隙,因此最终仍然会带来一些烧结后的空穴或凹槽。本专利技术采用棒状银粉替代常规球状或类球状的银粉作为主料,棒状银粉具有更差的流动性,因此在烧结过程中,棒状银粉与片状银粉配合,起到了位阻效应,对纳米银粉进行阻碍,在烧结过程中,整体银粉的分布保持稳定,减少了空穴和凹槽,替代地,在达到棒状银粉的熔化时间节点后,整体银粉能够更加一致地进行坍缩和收缩,从而提高了整体烧结后表面的一致性。

5、在一些实施方式中,棒状银粉的长度为20-30μm,长径比为5-10,纳米银粉的平均粒径为200-300nm,片状银粉的平均粒径为2-10μm,片状银粉的比表面积为1-2m2/g。

6、采用棒状银粉作为银粉的主体材料,在烧结过程中,先熔化的纳米银粉在张力作用下,优先对棒状银粉以及片状银粉之间的接触位置进行填充,从而提供了稳定的桥接面面接触效果,最终烧结后形成的电极膜层的导电性能更加稳定。

7、在一些优选的实施方式中,片状银粉的比表面积为1.9m2/g。

8、在一些实施方式中,棒状银粉为表面改性的棒状银粉,表面改性的棒状银粉的制备方法包括:将棒状银粉分散在乙醇中,然后加入棒状银粉相同质量的脂肪酸盐,搅拌10-30min后,过滤干燥,得到表面改性的棒状银粉。

9、采用对棒状银粉进行表面改性,利用脂肪酸盐对银粉表面接枝,从而有效防止棒状银粉之间的团聚,提高了棒状银粉的分散性,而改性后的棒状银粉与纳米银粉和片状银粉之间具有更好的吸附效果,利用该吸附效果,提高了纳米银粉和片状银粉的分散性,进一步提高了烧结后的电极表面的平整性。

10、在一些实施方式中,脂肪酸盐为油酸钠、棕榈酸钠和硬脂酸钠中的至少一种。

11、在一些实施方式中,溶剂为叔丁基卡必醇醋酸酯和丁酸丁酯的混合物,叔丁基卡必醇醋酸酯和丁酸丁酯的体积比为1:1,有机载体为丙基纤维素,流平剂为聚二甲基硅氧烷,触变剂为甲基丙烯酸甲酯。

12、在一些实施方式中,玻璃粉的平均粒径为0.5-2μm。

13、本专利技术另一方面还提供了一种用于ltcc基板的导电浆料的制备方法,步骤包括:按重量份数混合银粉、玻璃粉、溶剂、有机载体、流平剂和触变剂,研磨机榨浆至粒度不超过30μm,得到用于ltcc基板的导电浆料。

14、本专利技术的用于ltcc基板的导电浆料及其制备方法相对于现有技术具有以下有益效果:

15、本专利技术的用于ltcc基板的导电浆料采用特定比例的棒状银粉、纳米银粉和片状银粉进行复配形成导电银粉主体,利用该复配体系,提高了银粉烧结过程中的形态稳定性,降低了收缩率;使烧结后的导电膜具有更平整的外观和更好的导电性能。

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【技术保护点】

1.一种用于LTCC基板的导电浆料,其特征在于,所述导电浆料按重量份数计算,包括:银粉70-80份、玻璃粉0.5-1份、溶剂5-10份、有机载体1-5份、流平剂0.1-0.5份和触变剂0.1-2份,其中所述银粉由棒状银粉、纳米银粉和片状银粉组成,银粉的平均粒径不超过30μm,棒状银粉:纳米银粉:片状银粉的质量比为1:(0.6-0.9):(0.2-0.3)。

2.如权利要求1所述的用于LTCC基板的导电浆料,其特征在于,所述棒状银粉的长度为20-30μm,长径比为5-10,所述纳米银粉的平均粒径为200-300nm,所述片状银粉的平均粒径为2-10μm,片状银粉的比表面积为1-2m2/g。

3.如权利要求1所述的用于LTCC基板的导电浆料,其特征在于,所述棒状银粉为表面改性的棒状银粉,表面改性的棒状银粉的制备方法包括:将棒状银粉分散在乙醇中,然后加入棒状银粉相同质量的脂肪酸盐,搅拌10-30min后,过滤干燥,得到表面改性的棒状银粉。

4.如权利要求3所述的用于LTCC基板的导电浆料,其特征在于,所述脂肪酸盐为油酸钠、棕榈酸钠和硬脂酸钠中的至少一种。

5.如权利要求1所述的用于LTCC基板的导电浆料,其特征在于,所述溶剂为叔丁基卡必醇醋酸酯和丁酸丁酯的混合物,叔丁基卡必醇醋酸酯和丁酸丁酯的体积比为1:1,所述有机载体为丙基纤维素,所述流平剂为聚二甲基硅氧烷,所述触变剂为甲基丙烯酸甲酯。

6.如权利要求1所述的用于LTCC基板的导电浆料,其特征在于,所述玻璃粉的平均粒径为0.5-2μm。

7.权利要求1-6中任一所述的用于LTCC基板的导电浆料的制备方法,其特征在于,包括:按重量份数混合银粉、玻璃粉、溶剂、有机载体、流平剂和触变剂,研磨机榨浆至粒度不超过30μm,得到用于LTCC基板的导电浆料。

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【技术特征摘要】

1.一种用于ltcc基板的导电浆料,其特征在于,所述导电浆料按重量份数计算,包括:银粉70-80份、玻璃粉0.5-1份、溶剂5-10份、有机载体1-5份、流平剂0.1-0.5份和触变剂0.1-2份,其中所述银粉由棒状银粉、纳米银粉和片状银粉组成,银粉的平均粒径不超过30μm,棒状银粉:纳米银粉:片状银粉的质量比为1:(0.6-0.9):(0.2-0.3)。

2.如权利要求1所述的用于ltcc基板的导电浆料,其特征在于,所述棒状银粉的长度为20-30μm,长径比为5-10,所述纳米银粉的平均粒径为200-300nm,所述片状银粉的平均粒径为2-10μm,片状银粉的比表面积为1-2m2/g。

3.如权利要求1所述的用于ltcc基板的导电浆料,其特征在于,所述棒状银粉为表面改性的棒状银粉,表面改性的棒状银粉的制备方法包括:将棒状银粉分散在乙醇中,然后加入棒状银粉相同...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓宝利薛海龙郭峰顾海杨
申请(专利权)人:扬州虹运电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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