一种具有L型衬底辅助栅的LDMOS器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有L型衬底辅助栅的LDMOS器件，属于半导体器件领域。该LDMOS器件主要包括衬底，埋氧层，以及在埋氧层表面形成的栅极控制区和LDMOS导电区。其中栅极控制区包括一L型辅助栅P+区、二氧化硅隔离层和传统栅极区；LDMOS导电区包括P‑body区、第一源极N+区、源极P+区、第二源极N+区、N型漂移区、漏极buffer区和漏极P+区。栅极控制区和LDMOS导电区通过二氧化硅隔离层相隔离。本发明专利技术解决了传统MOSFET的比导通电阻和击穿电压之间存在的硅极限关系，并打破了硅极限，极大地提高了器件的Baliga优值FOM，从而降低了器件的导通损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件领域，涉及一种具有l型衬底辅助栅的ldmos器件。

技术介绍

1、功率半导体器件，在高压集成电路和智能功率集成电路领域中扮演着重要角色，作为电子电力的核心元器件，故也可以称为电子电力器件。半导体功率器件在变频、整流以及功率放大等方面具有重要的应用，也正是将各种一次能源高效的转变为人们生活所需要的电能，实现了改善电力、节能环保和提高人们的生活质量。随着微电子工艺的迅速进步和新型半导体技术的不断涌现，目前电子电力器件广泛的应用在我们日常生活以及高精尖行业中，从传统的信息通信、工业控制、计算机领域向汽车电子、新能源、智能医疗、智能电网、消费电子等领域扩展。ldmos作为一种横向功率器件，能够实现高耐压、低功耗及高功率密度，因此被广泛应用于射频电路、功率集成电路和工业控制电路。相比于体硅技术，soi技术集成度更高、寄生电容极更小和隔离性能更好。基于soi技术的ldmos器件与其他的大多数新型有源器件如hemt、hbt等相比，拥有更好的cmos工艺兼容性以及方便集成的特点，且本身具有高功率、高增益、高线性度、高开关特性，以及有良好的隔离性能、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有L型衬底辅助栅的LDMOS器件，包括从下至上层叠的衬底和埋氧层，其特征在于：该器件还包括：

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：二氧化硅隔离层Ⅰ、L型辅助栅P+区和传统栅极区构成该LDMOS器件的栅极控制区，控制该LDMOS器件的开断。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：P-body区、第一源极N+区、源极P+区、第二源极N+区、N型漂移区、漏极buffer区和漏极P+区构成该LDMOS器件的导电区。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述N型漂移区的掺杂类型包括N型或P型。

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【技术特征摘要】

1.一种具有l型衬底辅助栅的ldmos器件，包括从下至上层叠的衬底和埋氧层，其特征在于：该器件还包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于：二氧化硅隔离层ⅰ、l型辅助栅p+区和传统栅极区构成该ldmos器件的栅极控制区，控制该ldmos器件的开断。

3.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于：p-body区、第一源极n+区、源极p+区、第二源极n+区、n型漂...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟中，何玉婷，段祖兵，刘挺，杨虹，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：