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本发明涉及一种具有L型衬底辅助栅的LDMOS器件，属于半导体器件领域。该LDMOS器件主要包括衬底，埋氧层，以及在埋氧层表面形成的栅极控制区和LDMOS导电区。其中栅极控制区包括一L型辅助栅P+区、二氧化硅隔离层和传统栅极区；LDMOS导电...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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