一种集成自偏置NMOS快速关断的RC-LIGBT器件制造技术

本发明专利技术涉及一种集成自偏置NMOS快速关断的RC‑LIGBT器件，属于半导体器件领域。该器件主要包括沟槽栅区域、自偏置NMOS区域、P型埋层区域和LIGBT区域。其中沟槽栅区域包括栅极和栅二氧化硅层；P型埋层区域分布在LIGNT区域中；自偏置NMOS区域包括N+发射极、P‑body、N型漂移区和NMOS栅氧化层。本发明专利技术通过集成自偏置的NMOS和P型埋层，采用沟槽栅技术以及SiO<subgt;2</subgt;隔离层把集电极的P+和N+隔开，增加了两者之间的等效电阻，抑制了RC‑LIGBT的Snapback效应，能够降低器件的反向导通电压、减小关断时间和关断损耗并增强器件的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件领域，涉及一种集成自偏置nmos快速关断的rc-ligbt器件。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种mosfet和bjt管相结合的双极性半导体功率器件，具有导通压降低、驱动功耗低和工作频率高等优点，被广泛应用于通信技术、新能源设备和各类消费电子领域，是电子电力系统的核心器件。其中ligbt(lateral insulated gate bipolar transistor，横向绝缘栅双极型晶体管)易于集成在si基上，通常应用在soi基的功率智能系统中，是双极型半导体器件的典型代表。

2、但是由于ligbt不具备反向导通能力，因此在实际使用中通常都需要在ligbt旁边并联一个反向的续流二极管以起到保护的作用。同时为了提高器件的集成度，降低制造成本，人们开始尝试将起保护作用的续流二极管集成在ligbt的内部，将ligbt部分集电极p-collector用n-collector替代，在晶体管内部集成了一个p-body/n-drift/n-col本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成自偏置NMOS快速关断的RC-LIGBT器件，包括衬底以及在衬底表面形成的二氧化硅绝缘层，其特征在于：该器件还包括：

2.根据权利要求1所述的RC-LIGBT器件，其特征在于：所述N+发射极、P-body、N型漂移区和NMOS栅氧化层构成所述RC-LIGBT器件的自偏置NMOS。

3.根据权利要求1或2所述的RC-LIGBT器件，其特征在于：该器件的自偏置NMOS的栅极和漏极通过发射极连接。

4.根据权利要求3所述的RC-LIGBT器件，其特征在于：所述发射极形成于第一N+发射极和P+发射极表面，且部分覆盖第二N+发射极和NMOS栅氧化层。...

【技术特征摘要】

1.一种集成自偏置nmos快速关断的rc-ligbt器件，包括衬底以及在衬底表面形成的二氧化硅绝缘层，其特征在于：该器件还包括：

2.根据权利要求1所述的rc-ligbt器件，其特征在于：所述n+发射极、p-body、n型漂移区和nmos栅氧化层构成所述rc-ligbt器件的自偏置nmos。

3.根据权利要求1或2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘挺，沈文良，李程，陈伟中，杨虹，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：