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本发明涉及一种集成自偏置NMOS快速关断的RC‑LIGBT器件，属于半导体器件领域。该器件主要包括沟槽栅区域、自偏置NMOS区域、P型埋层区域和LIGBT区域。其中沟槽栅区域包括栅极和栅二氧化硅层；P型埋层区域分布在LIGNT区域中；自偏置...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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