【技术实现步骤摘要】
本专利技术概念涉及集成电路，且更明确地说涉及具有异质接触件的集成电路和包含所述集成电路的半导体器件。
技术介绍
1、随着半导体器件变得越来越复杂且越来越小，经由定制设计来设计半导体器件可能受到限制。因此，在设计半导体器件时，可以从根据所要功能制备的大量上层结构来生成满足功能条件的集成电路的布局，例如可以通过放置并布线各种标准单元来生成集成电路的布局。因此，这些标准单元中的每一个可能需要具有适合于通过微小半导体工艺制造的结构，并且需要减小单元尺寸以减少集成电路布局的面积。
技术实现思路
1、本专利技术概念提供具有异质接触件的集成电路，和包含集成电路的半导体器件，所述集成电路具有包含高效放置的异质接触件的布局。
2、根据本专利技术概念的方面，提供一种集成电路，其包含：第一有源区域，其在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，其在第一有源区域上在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向交叉；源极/漏极区域，其在第一有源区域上形成于栅极线的一侧处；多个导电线，其在与栅极线分离的平面上...
【技术保护点】
1.一种集成电路，所述集成电路包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路，所述集成电路还包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二栅极接触件包括在所述竖直方向上彼此连接的下部栅极接触件和上部栅极接触件。
5.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路，所述集成电路还包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路，所述集成电路还包括：
8.根据权利要求7所述的集成电路，所述集成电路还包
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【技术特征摘要】
1.一种集成电路，所述集成电路包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路，所述集成电路还包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二栅极接触件包括在所述竖直方向上彼此连接的下部栅极接触件和上部栅极接触件。
5.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路，所述集成电路还包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路，所述集成电路还包括：
8.根据权利要求7所述的集成电路，所述集成电路还包括：
9.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述第一源极/漏极接触件包括连接到所述第一源极/漏极区域的下部源极/漏极接触件和连接到所述下部源极/漏极接触件的上部源极/...
【专利技术属性】
技术研发人员：金兑衡，都桢湖，文大英，白尚叶，林哉炫，崔在承，韩相信，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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