【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种设计版图、掩膜版及测量方法。
技术介绍
1、表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(criticaldimension，cd)。随着关键尺寸的缩小，关键尺寸的偏差对器件性能的影响也越来越大。
2、通常通过将图形传递至光掩膜上，再通过光掩膜将图形转移到晶圆上，因此，光掩膜中图形的关键尺寸尤为重要。
3、在对光掩模关键尺寸的量测中，扫描电镜对二维图形的量测比对一维图形(长直线)的量测更注重量测位置的准确性：对一维图形的量测只要保证在同一根直线上采样即可，而对采样位置没有太高的要求；然而对于二维图形，由于其尺寸临近曝光机台的分辨极限等原因，其最终成形会产生圆头的现象，这个时候如果量测定位即使有稍微的偏差都会影响最终量测的准确性。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种设计版图、掩膜版及测量方法，能够提高测量精准度。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种设计版图，包括：...
【技术保护点】
1.一种设计版图，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述参考图形在各个方向的尺寸小于可光刻尺寸。
3.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，以所述设计图形具有沿所述关键尺寸方向延伸的中轴线，所述设计图形两侧的参考图形中心点的连线作为基准线，所述基准线与所述中轴线重合，或者与所述中轴线平行且间距小于或等于预设间距。
4.如权利要求3所述的设计版图，其特征在于，所述预设间距为所述设计图形沿垂直于所述关键尺寸方向的尺寸与预设比例之积。
5.如权利要求4所述的设计版图，其特征在于，所述预设比例小于
...【技术特征摘要】
1.一种设计版图，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述参考图形在各个方向的尺寸小于可光刻尺寸。
3.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，以所述设计图形具有沿所述关键尺寸方向延伸的中轴线，所述设计图形两侧的参考图形中心点的连线作为基准线，所述基准线与所述中轴线重合，或者与所述中轴线平行且间距小于或等于预设间距。
4.如权利要求3所述的设计版图，其特征在于，所述预设间距为所述设计图形沿垂直于所述关键尺寸方向的尺寸与预设比例之积。
5.如权利要求4所述的设计版图，其特征在于，所述预设比例小于或等于2％。
6.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述参考图形的形状为方形。
7.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述设计图形包括洞图形和岛图形中的一种或两种，且所述设计图形两侧的参考图形的类型与所述设计图形的类型相同。
8.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，沿所述关键尺寸方向，所述参考图形与所述设计图形之间的间距为0.2μm至0.8μm。
9.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，沿所述关键尺寸方向，所述设计图形的尺寸为0.1μm至1μm。
10.一种掩膜版，其特征在于，包括：利用如权利要求1-9任一项所述设计版图获得的光掩膜图形。
11.一种测量方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的测量方法，其特征在于，所述参考光掩膜图形在各个方向的尺寸小于可光刻尺寸。
...【专利技术属性】
技术研发人员：李一凡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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