一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法技术

本发明专利技术提供一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法，掩膜版结构包括：掩膜版主体；多个主图形，设置于所述掩膜版主体上，在一组主图形中，多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置，相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距；以及多个辅助图形，设置于每个所述主图形的周围，每个所述辅助图形设有孔洞；其中，在一组主图形中，每个主图形与两个辅助图形对应，两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。本发明专利技术可提高掩膜版结构在曝光处理后通孔的真圆度，提高通孔和金属层的接触面积，并提高半导体产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法。

技术介绍

1、在集成电路的制造过程中，基于模型的光学邻近效应修正（model-based opticalproximity correction），从90nm技术节点开始被广泛应用。设计图形的尺寸和环境对model-based opc的修正结果影响很大，现有技术中的via（通孔）设计图形，由于周边环境的不对称，其中一角处的cepe（corner edge placement error，拐角边缘放置误差）较大，其对角处的cepe较小，此时的通孔的外形呈一头大一头小的非正圆形状。目前，由于设计图形的非对称性，现有技术中没有办法解决通孔变形的问题，因此在wafer（晶圆）上出现不圆的孔洞是无法避免的；然而，这种不圆的通孔在与金属层覆盖后，会因为接触面积的不充分，使产品的电阻变大，致使产品的良率下降。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的掩膜版及其检测方法，用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，在一组所述主图形的相同一侧，每个主图形与其对应的辅助图形之间的距离相同。

3.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，所述辅助图形侧边外轮廓的大小与所述主图形外轮廓的大小相同。

4.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，所述孔洞的尺寸和所述辅助图形的尺寸的比值范围为1/4～3/4。

5.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，所述辅助图形的形状与所述孔洞的形状对应，所述孔洞位于所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，在一组所述主图形的相同一侧，每个主图形与其对应的辅助图形之间的距离相同。

3.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，所述辅助图形侧边外轮廓的大小与所述主图形外轮廓的大小相同。

4.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，所述孔洞的尺寸和所述辅助图形的尺寸的比值范围为1/4～3/4。

5.根据权利要求1所述的半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，所述辅助图形的形状与所述孔洞的形状对应，所述孔洞位于所述辅助图形的中央位置处。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪银，罗招龙，刘秀梅，王康，赵广，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：