【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种沉积站，所述沉积站包括盆装置，所述盆装置具有构成工艺腔的盆，用于容纳由溶解在液体中的金属，尤其镍、锌、钯、金等构成的溶液，用于优选无电流地沉积在能够容纳到工艺腔中的物体上，尤其沉积在能够容纳到工艺腔中的晶片的连结面上，其中盆具有至少一个用于将溶液导入到盆中的入口。本技术还涉及一种用于在晶片的连结面上产生接触金属化部的设备，所述设备包括至少一个这种沉积站。
技术介绍
1、在芯片的连结面上产生在专业术语方面也称作为under bump metallizations(凸块下金属化部，ubm)的接触金属化部根据标准在晶片级进行，也就是说，整个晶片连同多个在其上构成的芯片在将芯片从晶片中分割之前经过化学工艺，其中在芯片的连结面上施加称作为under bump metallization(凸块下金属化部)的中间金属化部，所述中间金属化部用作为用于随后施加的、由焊料材料构成的焊料凸块的附着基部，其中所述连结面在初始状态下具有由铝或铜构成的表面金属化部。最后，在施加焊料凸块之后才从晶片中分割芯片。
2、例如从cn 203760...
【技术保护点】
1.沉积站(10、71、78)，包括盆装置(11、77)，所述盆装置具有构成工艺腔(12)的盆(13)，用于容纳由溶解在液体中的金属构成的溶液，用于沉积在能够容纳到所述工艺腔中的物体上，其中所述盆具有至少一个用于将所述溶液导入到所述盆中的入口(17)，
2.根据权利要求1所述的沉积站，
3.根据权利要求1所述的沉积站，
4.根据权利要求1所述的沉积站，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积站，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积站，
7.根据权利要求6所述的沉积站，
8.根据...
【技术特征摘要】
1.沉积站(10、71、78)，包括盆装置(11、77)，所述盆装置具有构成工艺腔(12)的盆(13)，用于容纳由溶解在液体中的金属构成的溶液，用于沉积在能够容纳到所述工艺腔中的物体上，其中所述盆具有至少一个用于将所述溶液导入到所述盆中的入口(17)，
2.根据权利要求1所述的沉积站，
3.根据权利要求1所述的沉积站，
4.根据权利要求1所述的沉积站，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积站，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积站，
7.根据权利要求6所述的沉积站，
8.根据权利要求6所述的沉积站，
9.根据权利要求8所述的沉积站，
10.根据权利要求6所述的沉积站，
11.根据权利要求10所述的沉积站，
12.根据权利要求11所述的沉积站，
13.根据权利要求11所述的沉积站，
14.根据权利要求10所述的沉积站，
15.根据权利要求14所述的沉积站，
16.根据权利要求14所述的沉积站，
17.根据权利要求10所述的沉积站，
18.根据权利要求17所述的沉积站，
19.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积站，
20.根据权利要求19所述的沉积站，
21.根据权利要求19所述的沉积站，
22...
【专利技术属性】
技术研发人员：托尔斯滕·克劳泽，西亚瓦什·侯赛因普尔·大不里士，
申请(专利权)人：派克泰克封装技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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