当前位置: 首页 > 专利查询>季华实验室专利>正文

一种掩膜板制备方法及掩膜板技术

技术编号:40181732 阅读:25 留言:0更新日期:2024-01-26 23:47
本发明专利技术公开了一种掩膜板制备方法及掩膜板,涉及泛半导体制作技术领域,所述方法包括以下步骤:步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜;步骤S2、在导电膜或半导体膜形成光阻膜;步骤S3、在光阻膜上光刻掩膜片图案;步骤S4、在光阻膜上电铸掩膜片,得到掩膜片组件;步骤S5、将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定,得到掩膜框组件;步骤S6、通过脱模处理,将掩膜框组件中的载板、导电膜或半导体膜、光阻膜与掩膜片及掩膜框分离,得到掩膜板。所述制备方法通过在脱模处理前先将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定,通过透明载板的固定作用,可避免掩膜片破裂和下沉,使制备得到的掩膜板,不但厚度较薄,具有较高的像素分辨率,且不易皱褶,具有更好的蒸镀效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及泛半导体制作,特别涉及一种掩膜板制备方法及掩膜板


技术介绍

1、oled显示器相较于lcd显示器具有很多优势,例如色彩再现好、响应时间短、低温特性好,且厚度可以做到更薄、重量更轻、柔性好,因此oled显示器以其优异的性能正在取代已打下巨大市场的lcd显示器。

2、oled显示屏制造用蒸镀机中,为将rgb发光层有机材料分别蒸镀到基板的rgb像素点上,设置有发光层蒸镀室,蒸镀室内设置有蒸镀时遮蔽其它像素的精密掩膜板(fmm)。由于有机材料蒸气的一部分蒸镀至基板时,有一定的蒸发入射角,这些蒸发入射角导致有机膜的填充均匀度下降。为使基板像素内均匀充填有机膜,往往将掩膜片制作得很薄,以降低蒸发入射角的影响。通常像素分辨率越高,需要的掩膜片越薄,但是,掩膜片越薄,其强度则越弱。然而,强度弱的掩膜片容易起皱或破裂,给搬送、绑定和蒸镀带来难解之题。因此,如何获得厚度薄、强度高的精密掩膜板是现有技术亟待解决的问题。

3、申请号为201710261890.5的中国专利技术专利公开了一种电铸掩膜板的脱模方法,通过该脱模方法,可获得厚度较薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩膜板制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法,其特征在于,在所述步骤S5前,还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。

3.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法,其特征在于,所述步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。

4.根据权利要求3所述的掩膜板制备方法,其特征在于,沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。

5.根据权利要求4所述的掩膜板...

【技术特征摘要】

1.一种掩膜板制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法,其特征在于,在所述步骤s5前,还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。

3.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法,其特征在于,所述步骤s1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。

4.根据权利要求3所述的掩膜板制备方法,其特征在于,沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。

5.根据权利要求4所述的掩膜板制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,所述半导体膜的电阻率为1x10-3~105ω·m。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨一新
申请(专利权)人:季华实验室
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1