【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳电子学领域，是一种金属纳米材料表面三维凸起物的制备方法。
技术介绍
1、三维纳米尺度的金属结构在纳电子学领域中具有重要的应用价值，至少可应用于如下方面：(1)显微表征的工具：利用三维纳米尺度的导电结构构建探针显微镜的针尖；(2)纳米或原子尺度的器件:构建纳米或原子尺度的点接触或结器件，实现电输运或热输运；(3)纳电子器件之间的三维互连：利用三维的纳米尺度金属结构实现不同层之间的纳电子器件或电路的互连。
2、在金属导体表面制备三维纳米尺度的凸起物的常用技术有如下：(1)利用电子束光刻、金属沉积和剥离制技术:在绝缘衬底表面先利用电子束光刻将光刻胶图形化，然后通过金属沉积和剥离制得的金属凸起结构；(2)利用电子束光刻和金属刻蚀技术：在光滑平整的金属导体表面上先利用电子束光刻，然后再利用刻蚀技术，将金属薄膜图形化、制成三维结构；(3)利用聚焦离子束(fib)等对金属表面直接刻蚀加工形成三维结构。这些技术可大规模的制备三维导电结构，三维结构的形状和高度可借助光刻预先设计形状，并可通过金属沉积或刻蚀技术改变其高度，加工效...
【技术保护点】
1.一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其步骤包括：
2.如权利要求1所述的金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其特征在于，所述衬底是二氧化硅、玻璃、塑料或云母，所述金属纳米线或纳米带的材料为金、银、钯、铂、铝、钽或铟。
3.如权利要求1所述的金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其特征在于，步骤1)制备金属纳米线或纳米带使用掩模图形化，然后经金属沉积-剥离工艺完成；或不使用掩模、直接对金属层进行图形化工艺，金属纳米带宽度范围为50nm至500nm，厚度范围为10nm至100nm。
4.如权利要求1所述的金属纳米材料表面凸起物的制备方法...
【技术特征摘要】
1.一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其步骤包括：
2.如权利要求1所述的金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其特征在于，所述衬底是二氧化硅、玻璃、塑料或云母，所述金属纳米线或纳米带的材料为金、银、钯、铂、铝、钽或铟。
3.如权利要求1所述的金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其特征在于，步骤1)制备金属纳米线或纳米带使用掩模图形化，然后经金属沉积-剥离工艺完成；或不使用掩模、直接对金属层进行图形化工艺，金属纳米带宽度范围为50nm至500nm，厚度范围为10nm至100nm。
4.如权利要求1所述的金属纳米材料表面凸起物的制备方法，其特征在于，半导体参数分析仪采用商用仪器或自行设计制作的科研仪器，要求电压输出和测量精度不低于1mv，最高电圧不低于10v，电流测量精度不低于1na，最大电流不低于1ma。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：于达程，田仲政，李慕禅，于学敏，任中阳，田姣姣，任黎明，傅云义，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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