太阳电池制造技术

一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种太阳电池(photovoltaic cell)，且特别是有关于一种具有 较高光电转换效率的太阳电池。
技术介绍
太阳能是一种干净无污染而且取之不尽用之不竭的能源，在解决目前石化能源所 面临的污染与短缺的问题时，一直是最受瞩目的焦点。由于太阳电池可直接将太阳能转换 为电能，因此已成为目前相当重要的研究课题。硅基太阳电池为业界常见的一种太阳电池。硅基太阳电池的原理是将二个不同型 (P型与n型)的半导体层相接合，以形成p-n接面。当太阳光照射到具有此p-n结构的半 导体时，光子所提供的能量可把半导体价带中的电子激发至导带而产生电子-电洞对。电 子与电洞均会受到电场的影响，使得电洞沿着电场的方向移动，而电子则往相反的方向移 动。如果以导线将此太阳电池与负载(load)连接起来，则可形成一个回路(loop)，并可使 电流流过负载，此即为太阳电池发电的原理。^^Mftffl^^tiEM (hetero junction with intrinsic thinlayer，HIT) 曰 ffe 池中，二个不同型(p型与n型)的半导体层分别为掺杂单晶硅层与掺杂非晶硅层。此外， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池，包括：一第一型掺杂单晶硅基板，具有一正面以及一背面；一本征非晶硅层，配置于该正面上；一第二型掺杂非晶硅层，配置于本征非晶硅层上；一第一型掺杂结晶含锗层，配置于该背面；以及一对电极，与该第二型掺杂非晶硅层以及该第一型掺杂结晶含锗层电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘致为，何伟硕，陈彦瑜，古峻源，陈建任，林汉涂，梁硕玮，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]