System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 太阳电池的扩散方法及太阳电池技术_技高网

太阳电池的扩散方法及太阳电池技术

技术编号:40170978 阅读:7 留言:0更新日期:2024-01-26 23:41
本申请提供一种太阳电池的扩散方法及太阳电池,太阳电池的扩散方法包括:在第一设定温度下,对位于反应腔室内的基体进行持续第一设定时间的氧化处理。其中,第一设定时间的范围为小于300s。从第一设定温度升温至第二设定温度,并向反应腔室内通入氧气和扩散源,以在基体的表面形成发射极层和玻璃层。从第二设定温度升温至第三设定温度,进行持续第二设定时间的推结处理。其中,第二设定时间的范围为大于900s。从而可以有效地增加PN结的深度,使得PN结受到外界的影响小,提升了获得的太阳电池的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种太阳电池的扩散方法及太阳电池


技术介绍

1、随着科学技术的逐步发展,太阳能作为一种清洁能源,广泛地应用于各个领域。其中,太阳电池是一种可以通过光电效应或者光化学效应将光能直接转化成电能的装置。

2、在太阳电池的制备过程中,扩散步骤为关键的工艺步骤,可以通过扩散步骤形成pn结。一些通过扩散步骤形成的pn结较浅,较浅的pn结可能会造成ctm值偏低,且较浅的pn结更容易受到外界环境因素的影响,可能会导致pn结损坏失效。


技术实现思路

1、本申请提供一种太阳电池的扩散方法及太阳电池。

2、本申请提供一种太阳电池的扩散方法,其中包括:

3、在第一设定温度下,对位于反应腔室内的基体进行持续第一设定时间的氧化处理;其中,第一设定时间的范围为小于300s;

4、从所述第一设定温度升温至第二设定温度,并向所述反应腔室内通入氧气和扩散源,以在所述基体的表面形成发射极层和玻璃层;

5、从所述第二设定温度升温至第三设定温度,进行持续第二设定时间的推结处理;其中,所述第二设定时间的范围为大于900s。

6、可选地,所述氧气的流速的范围为400sccm至500sccm之间,所述扩散源的流速的范围为600sccm至850sccm之间。

7、可选地,所述扩散源包括掺杂源和载气,所述掺杂源和所述载气的比值的范围为0.2g:900ml至0.5g:900ml之间。

8、可选地,所述第一设定时间的范围为150s至200s之间;和/或

9、所述第二设定时间的范围为950s至1100s之间;和/或

10、所述第一设定温度的范围为740℃至780℃之间;和/或

11、所述第二设定温度的范围为750℃至790℃之间;和/或

12、所述第三设定温度的范围为830℃至880℃之间。

13、可选地,所述从所述第二设定温度升温至第三设定温度,进行持续第二设定时间的推结处理之后,所述扩散方法还包括:

14、在第三设定时间内,将所述反应腔室内的温度从所述第三设定温度降低至第四设定温度。

15、可选地,所述在第三设定时间内,将所述反应腔室内的温度从所述第三设定温度降低至第四设定温度之后,所述扩散方法还包括:

16、从所述第四设定温度降低至第五设定温度,并向所述反应腔室内通入所述氧气和所述扩散源,以在所述玻璃层沉积扩散元素。

17、可选地,所述从所述第四设定温度降低至第五设定温度,并向所述反应腔室内通入所述氧气和所述扩散源之后,所述扩散方法还包括:

18、从所述第五设定温度降低至第六设定温度,并向所述反应腔室内通入氮气;在通入氮气后,将形成有所述发射极层和所述玻璃层的所述基体从所述反应腔室内取出并冷却。

19、可选地,所述第四设定温度的范围为770℃至810℃之间;

20、所述第五设定温度的范围为750℃至780℃之间;

21、所述第六设定温度的范围为600℃至700℃之间。

22、可选地,所述在第一设定温度下,对位于反应腔室内的基体进行持续第一设定时间的氧化处理之前,所述扩散方法还包括:

23、将制绒后的基体放入所述反应腔室内,向所述反应腔室内通入氮气,并将所述反应腔室内的温度维持于所述第一设定温度;

24、降低所述反应腔室内的压强,对所述反应腔室进行捡漏。

25、本申请提供一种太阳电池,其中包括由如上述任一实施例所述的太阳电池的扩散方法制备获得的形成有所述发射极层和所述玻璃层的基体。

26、可选地,所述太阳电池的所述发射极层的厚度的范围为0.23um至0.25um之间;和/或

27、所述太阳电池的所述发射极的表面分布的扩散元素的浓度的范围为3.0×e20/cm3至3.5×e20/cm3之间。

28、本申请的太阳电池的扩散方法,在第一设定温度下,对基体进行持续第一设定时间的氧化处理,且第一设定时间的范围为小于300s。进行持续第二设定时间的推结处理,第二设定时间的范围为大于900s。氧化处理的第一设定时间的范围为小于300s、推结处理的第二设定时间的范围为大于900s,可以通过调整氧化处理和推结处理的时间,从而可以有效地增加pn结的深度,使得pn结受到外界的影响小,提升了获得的太阳电池的可靠性。

29、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳电池的扩散方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述氧气的流速的范围为400sccm至500sccm之间,所述扩散源的流速的范围为600sccm至850sccm之间。

3.根据权利要求2所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述扩散源包括掺杂源和载气,所述掺杂源和所述载气的比值的范围为0.2g:900ml至0.5g:900ml之间。

4.根据权利要求1所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述第一设定时间的范围为150s至200s之间;和/或

5.根据权利要求1所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述从所述第二设定温度升温至第三设定温度,进行持续第二设定时间的推结处理之后,所述扩散方法还包括:

6.根据权利要求5所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述在第三设定时间内,将所述反应腔室内的温度从所述第三设定温度降低至第四设定温度之后,所述扩散方法还包括:

7.根据权利要求6所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述从所述第四设定温度降低至第五设定温度,并向所述反应腔室内通入所述氧气和所述扩散源之后,所述扩散方法还包括:

8.根据权利要求7所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述第四设定温度的范围为770℃至810℃之间;

9.一种太阳电池,其特征在于,包括由如权利要求1-8任一项所述的太阳电池的扩散方法制备获得的形成有所述发射极层和所述玻璃层的基体。

10.根据权利要求9所述的太阳电池,其特征在于,所述太阳电池的所述发射极层的厚度的范围为0.23um至0.25um之间;和/或

...

【技术特征摘要】

1.一种太阳电池的扩散方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述氧气的流速的范围为400sccm至500sccm之间,所述扩散源的流速的范围为600sccm至850sccm之间。

3.根据权利要求2所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述扩散源包括掺杂源和载气,所述掺杂源和所述载气的比值的范围为0.2g:900ml至0.5g:900ml之间。

4.根据权利要求1所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述第一设定时间的范围为150s至200s之间;和/或

5.根据权利要求1所述的太阳电池的扩散方法,其特征在于,所述从所述第二设定温度升温至第三设定温度,进行持续第二设定时间的推结处理之后,所述扩散方法还包括:

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:缪远宝漆刚王志永赵柳婷
申请(专利权)人:通威太阳能金堂有限公司
类型:发明
国别省市:

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