一种石墨烯量子点的制备方法技术

本发明专利技术涉及石墨烯量子点(GQDs)制备技术领域，具体为一种石墨烯量子点的制备方法，本发明专利技术通过在等离子化学气相沉积石墨烯量子点前，对绝缘衬底执行退火过程，使每一次生长前的硅片情况处于相同环境中，确保单一变量。因而能够通过控制生长环境实现尺寸精确控制和带隙控制，生长样品的大小只受等离子体化学气相沉积腔体的限制，无需复杂工艺和高昂设备，能够实现GQDs的工业化量产。相较于现有技术的自下而上制备方法，本发明专利技术生长温度控制在580～730℃，生长温度低、且不需要催化剂，样品C原子无其他官能团修饰且对环境无污染、具有粒径小、层数低、分布可控、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯量子点(gqds)制备，具体为一种石墨烯量子点的制备方法。

技术介绍

1、石墨烯是一种由碳原子紧密堆积构成的二维晶体材料，具有高电子迁移率、良好的导热性、优异的化学稳定性和绝佳的机械强度。当石墨烯的尺寸降到100纳米以下，便称作石墨烯量子点，石墨烯量子点兼具了石墨烯与量子点的性质，具有较大的比表面积，而且它们的量子限制效应和边缘效应，也使其具有了独特的光学、电子、自旋和光电等特性，这些特性使石墨烯量子点可能在生物成像、癌症治疗、温度感测、药物输送、led转换器、光电探测器、太阳能电池以及光致发光材料、生物传感器制造中得到应用。

2、目前制备石墨烯量子点主要有自上而下和自下而上的两大类方法。自上而下的方法包括电子束光刻、酸性剥离、电化学氧化和微波辅助水热合成等，通过物理或化学方法将大尺寸的石墨烯薄片切割成小尺寸的石墨烯量子点，这种方法制得的gqds边缘含有丰富的含氧基团，可以进一步化学修饰，但是其生长设备及制备条件比较苛刻，不能有效控制制备过程，导致其尺寸、形貌分布不稳定。自下而上的方法，包括溶液化学、聚苯乙烯前体的环化脱氢、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于：所述绝缘衬底为硅基氧化硅、二氧化硅、磁性绝缘衬底，优选磁性绝缘衬底。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的反应源气压值为16-19帕。

5.根据权利要求1至4任一项所述的一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的反应源气体为甲烷、乙烯或乙醇。

【技术特征摘要】

1.一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯量子点的制备方法，其特征在于：所述绝缘衬底为硅基氧化硅、二氧化硅、磁性绝缘衬底，优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬华，李星国，冯益，刘涛，牛晓滨，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：