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本发明涉及石墨烯量子点(GQDs)制备技术领域，具体为一种石墨烯量子点的制备方法，本发明通过在等离子化学气相沉积石墨烯量子点前，对绝缘衬底执行退火过程，使每一次生长前的硅片情况处于相同环境中，确保单一变量。因而能够通过控制生长环境实现尺寸精...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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