【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，特别涉及一种预湿腔内外气压平衡控制装置及方法。
技术介绍
1、在集成电路制造过程中，电镀设备的预湿腔在为晶圆提供真空环境同时给晶圆完成预湿，即在真空环境中给晶圆镀上水膜层。当晶圆在预湿腔内完成预湿工艺后，预湿腔内需要通入空气或氮气打破真空环境，使预湿腔内的气压与外界气压相平衡，然后才能进行后续的晶圆加工步骤。
2、在现有设计中，向预湿腔内通入气体具体是通过在预湿腔的顶部开设通气孔，通气孔连接输气管，利用输气管传输气体并通过通气孔向预湿腔内通入空气或氮气，以达到预湿腔内部与预湿腔外部的大气压相平衡的目的。
技术实现思路
1、在实际开展工艺的过程中，在对晶圆进行预湿的工艺完成后，在通过对预湿腔内通入气体以打破预湿腔内部的真空环境时，进气阀连接厂务高压氮气源，厂务过来的气源有很高的压力，一方面在通气至大气压过程中会有过冲，预湿腔内压力高于环境压力，导致预湿腔边缘溅水出来。具体表现为：当需要对晶圆进行下一步工艺时，需要打开预湿腔，但是在打开预湿腔的一瞬间，因为...
【技术保护点】
1.一种预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口设置于所述预湿腔上壳体上。
3.根据权利要求1所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口设置于所述预湿腔下壳体上。
4.根据权利要求3所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口的水平高度低于预湿腔内部的用于保持晶圆的晶圆卡盘水平高度。
5.根据权利要求3所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口设置于所述预湿腔下壳体底部。
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口设置于所述预湿腔上壳体上。
3.根据权利要求1所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口设置于所述预湿腔下壳体上。
4.根据权利要求3所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口的水平高度低于预湿腔内部的用于保持晶圆的晶圆卡盘水平高度。
5.根据权利要求3所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气口设置于所述预湿腔下壳体底部。
6.根据权利要求1所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气管道上设置过滤器。
7.根据权利要求1所述的预湿腔内外气压平衡控制装置，其特征在于，所述进气管道上设置消音器或者缓冲器。
8.一种预湿腔内外气压平衡控制方法，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王辰，王坚，杨宏超，贾照伟，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。