【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料制备，涉及一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐。
技术介绍
1、半导体材料是半导体产业的核心，是制造电子和计算机的基础，迫切需要国内企业倾力攻关，在加工制造的各个环节实现技术突破和国产替代，加快国内半导体行业的快速发展。常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。化合物半导体分为二元系、三元系和多元系半导体，其中，二元系化合物半导体有ⅳ-ⅳ族的碳化硅。
2、碳化硅是新型无机非金属材料，其加工过程中往往含有铁等杂质，因磁选机除铁并不能达到很好的除铁效果，故需要通过酸洗进行除杂。一般情况下，采用盐酸除杂。由于盐酸容易挥发，尤其是碳化硅浆料一般温度较高，加酸过程会存在部分盐酸挥发成酸气的情况发生，再加上铁与盐酸反应会产生氢气，故酸洗除杂过程中会产生高温气体。
3、由此可见，碳化硅在除杂提纯反应和运输过程中对存储设备和环境气氛要求较为严苛。碳化硅半导体材料的合成制造自动化程度越高，反应、储存、过滤和运输一体化，无二次转移等创新，对其制造和加工的纯度、应用都能带来品质上的显著提升。但是，现有技术中，碳化硅半导体材料是除杂提纯反应、储存、运输及应用过程分离，难以控制品质。
4、为解决上述问题，本专利技术提出了一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐。
技术实现思路
1、为解决
技术介绍
中存在的问题，本专利技术提出了一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐。
2、为了实
3、一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，由以特种不锈钢为基材的部件、罐体组成的搅拌罐。其包括：罐体，罐体固设有第一挡板，第一挡板将罐体分隔为主反应腔室、预热腔室；罐体内转动设置有转杆；转杆上限位套设有第二套环，第二套环水平固连有第二搅拌杆，第二搅拌杆沿长度方向开设有第二内腔，第二内腔内密封滑动设置有连接板，第二搅拌杆的朝下的一侧开设有第一排气管，第一排气管位于连接板朝外的一侧，主反应腔室与位于连接板朝内一侧的第二内腔通过连接管连通。
4、进一步地，连接管包括管道和多节伸缩杆；转杆的上部转动连接第一套环，第一套环上开设有第三内腔，转杆上开设有与第三内腔连通的连接腔室，多节伸缩杆具有中空的结构，连接腔室通过多节伸缩杆与第二内腔连通；管道的一端与第三内腔连通，管道的另一端穿过罐体预热腔室的侧壁伸到罐体的外面，然后与主反应腔室连通；管道上安装有使气体从主反应腔室流向预热腔室的单向阀。
5、进一步地，转杆上固定安装有第一搅拌杆，第一搅拌杆位于主反应腔室下部，且第一搅拌杆具有强磁性。
6、进一步地，第一挡板上开设有通孔，通孔处安装有阀门。
7、进一步地，第二搅拌杆上固定连接有强磁板，强磁板倾斜设置，且强磁板的下端向第二搅拌杆的转动方向倾斜。
8、进一步地，罐体的下端面固定安装有对主反应腔室进行加热的加热盘。
9、进一步地，第二搅拌杆朝外的一端的上侧开设有第二排气管。
10、进一步地，罐体内第一挡板的上方还依次固设有第二挡板、落料锥罩；第一挡板、第二挡板、落料锥罩使罐体从下向上被分隔为主反应腔室、预热腔室、储气腔室以及储料腔室；落料锥罩的尖端向下，且靠近罐体的内壁；落料锥罩的下端与预热腔室通过下落管道连通；第二挡板上安装有与预热腔室连通的泄压阀；储气腔室的侧壁安装有第三排气管。
11、进一步地，罐体的上端安装有进料斗，罐体的下端安装有排料管。
12、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：主反应腔室内的高温高压气体通过连接管进入到第二内腔内，并推动连接板向外移动，使气体通过第一排气管快速的流出，气体从主反应腔室的底部向上流动，使混合物料具有沸腾的效果，对预热腔室内的混合物料进行加热并使预热腔室内的温度身高，提高预热的效率，并且从第一排气管排出的高温气体向上流动对混合物料具有翻动的作用，进一步的提高预热的效率并能够使混合物料受热更均匀，有利于提高预热的效果。进而减少正式反应的时间有利于提高生产效率。
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1.一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于，包括：罐体（2），罐体（2）固设有第一挡板（11），第一挡板（11）将罐体（2）分隔为主反应腔室、预热腔室；罐体（2）内转动设置有转杆（18）；转杆（18）上限位套设有第二套环（17），第二套环（17）水平固连有第二搅拌杆（16），第二搅拌杆（16）沿长度方向开设有第二内腔，第二内腔内密封滑动设置有连接板（22），第二搅拌杆（16）的朝下的一侧开设有第一排气管（23），第一排气管（23）位于连接板（22）朝外的一侧，主反应腔室与位于连接板（22）朝内一侧的第二内腔通过连接管连通。
2.根据权利要求1所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：连接管包括管道（4）和多节伸缩杆（14）；转杆（18）的上部转动连接第一套环（15），第一套环（15）上开设有第三内腔，转杆（18）上开设有与第三内腔连通的连接腔室（19），多节伸缩杆（14）具有中空的结构，连接腔室（19）通过多节伸缩杆（14）与连接腔室（19）连通；管道（4）的一端与第三内腔连通，管道（4）的另一端穿过罐体（2）预热腔室的侧壁伸到
3.根据权利要求2所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：转杆（18）上固定安装有第一搅拌杆（10），第一搅拌杆（10）位于主反应腔室下部，且第一搅拌杆（10）具有强磁性。
4.根据权利要求3所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：第一挡板（11）上开设有通孔，通孔处安装有阀门（12）。
5.根据权利要求4所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：第二搅拌杆（16）上固定连接有强磁板（13），强磁板（13）倾斜设置，且强磁板（13）的下端向第二搅拌杆（16）的转动方向倾斜。
6.根据权利要求1所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：罐体（2）的下端面固定安装有对主反应腔室进行加热的加热盘（9）。
7.根据权利要求1所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：第二搅拌杆（16）朝外的一端的上侧开设有第二排气管（24）。
8.根据权利要求1所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：罐体（2）内第一挡板（11）的上方还依次固设有第二挡板（28）、落料锥罩（25）；第一挡板（11）、第二挡板（28）、落料锥罩（25）使罐体（2）从下向上被分隔为主反应腔室、预热腔室、储气腔室以及储料腔室；落料锥罩（25）的尖端向下，且靠近罐体（2）的内壁；落料锥罩（25）的下端与预热腔室通过下落管道（26）连通；第二挡板（28）上安装有与预热腔室连通的泄压阀（29）；储气腔室的侧壁安装有第三排气管（27）。
9.根据权利要求1所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：罐体（2）的上端安装有密封式进料斗，罐体（2）的下端安装有排料管（8）。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于，包括：罐体（2），罐体（2）固设有第一挡板（11），第一挡板（11）将罐体（2）分隔为主反应腔室、预热腔室；罐体（2）内转动设置有转杆（18）；转杆（18）上限位套设有第二套环（17），第二套环（17）水平固连有第二搅拌杆（16），第二搅拌杆（16）沿长度方向开设有第二内腔，第二内腔内密封滑动设置有连接板（22），第二搅拌杆（16）的朝下的一侧开设有第一排气管（23），第一排气管（23）位于连接板（22）朝外的一侧，主反应腔室与位于连接板（22）朝内一侧的第二内腔通过连接管连通。
2.根据权利要求1所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：连接管包括管道（4）和多节伸缩杆（14）；转杆（18）的上部转动连接第一套环（15），第一套环（15）上开设有第三内腔，转杆（18）上开设有与第三内腔连通的连接腔室（19），多节伸缩杆（14）具有中空的结构，连接腔室（19）通过多节伸缩杆（14）与连接腔室（19）连通；管道（4）的一端与第三内腔连通，管道（4）的另一端穿过罐体（2）预热腔室的侧壁伸到罐体（2）的外面，然后与主反应腔室连通；管道（4）上安装有使气体从主反应腔室流向预热腔室的单向阀（3）。
3.根据权利要求2所述的一种半导体材料储存、过滤、反应用多功能一体罐，其特征在于：转杆（18）上固定安装有第一搅拌杆（10），第一搅拌杆（10）位于主反应腔室下部，且第一搅拌杆（10）具有强磁性。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张竹荣，钟明强，赵正平，陈斯若，沈霞，
申请(专利权)人：杭州氟研科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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