【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法。
技术介绍
1、随着集成电路的发展，硅片的使用量逐年上升，而硅片昂贵的价格往往会加重晶圆厂的负担，因此，对于一些挡控片，晶圆厂通常会回收利用，经过晶圆再生，将挡控片进行回收重复利用以降低成本。但由于再生行业的特殊性以及膜种类的多样性，往往部分药液槽会经过多种膜种类，其中包括金属膜（去膜后）。如果金属膜去膜后硅片表面金属离子未完全达到标准，会使该药液槽金属离子超标，从而污染后续经过该药液槽的其他硅片，造成金属离子二次污染。
2、而受到金属离子污染的片源在后续加工中可能会与药液产生电化学反应，对硅片表面造成无法挽回的损伤。而一些容易在硅片内部扩散的金属离子则会扩散到硅片内部，在客户端进行加工中，金属离子的存在会影响硅片的电子特性，导致器件性能下降以及损坏硅片的结构，削弱硅片的机械强度和可靠性。产生巨大的损失。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，
3、工艺流程如下：
4、s1、去除晶圆表面金属薄膜层：
5、上述去除晶圆表面薄膜的化学药液为王水，王水同时具有硝酸的氧化性和氯离子的强配位能力，因此常被用来去除金属膜;
6、s2、在晶圆表面生成氧化膜：
7
8、s3、将晶圆表面氧化膜去除；
9、s4、qdr超声清洗：
10、经过以上药液清洗后，使用qdr+超声清洗，去除表面药液残留。
11、优选的，所述s3中的步骤如下：
12、a1，在清洗槽和电解池的阳极槽中和阴极槽中加入去离子水，使两边的液面相平；在阴极槽中加入koh，将ph值调为13以上，在阳极槽和清洗槽中加入双氧水，浓度为10mol/l；
13、a2、通直流电，电压为15v，电流为30a；
14、a3、5分钟后，开启水泵，使清洗槽与电解槽的液体循环，产生液体流动；
15、a4,将待清洗的已去除金属离子的晶圆放在花篮中，放入清洗槽，清洗10分钟后，取出。
16、优选的，s3使用的清洗装置包括电源、电解槽、清洗槽和循环泵，电解槽为双槽电解池，中间用离子膜间隔，阳极为金刚石半导体膜电极，阴极为普通不锈钢片，阳极槽与清洗槽之间有管道相连接，用循环泵作为循环动力，清洗槽为洁净的聚四氟乙烯塑料水槽。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该新型清洗方法较多的去除金属膜表面金属离子，避免金属离子流入共用药液槽，然后应用电化学方法去除有机物污染，电化学氧化去除有机污染物放在最后一步进行，是因为，电化学氧化液可以同时将晶圆表面残留的活性剂和鳌合剂残留一并去除，不会由于试剂的使用造成二次污染。采用金刚石膜作为阳极进行电化学氧化，阳极电解槽产物为具有强氧化性的氧化液，可以将水氧化成双氧水，并能生成臭氧，利用这种强氧化溶液来进行有机物污染的去除;因此，该方法是一种高效、环保的清洗技术，能够达到并超过现有清洗技术的清洗效果。
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1.一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，其特征是：
2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，其特征是所述S3中的步骤如下：
3.根据权利要求2所述的一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，其特征是：所述S3使用的清洗装置包括电源（1）、电解槽（2）、清洗槽（3）和循环泵（4），电解槽（2）为双槽电解池，中间用离子膜间隔，阳极为金刚石半导体膜电极，阴极为普通不锈钢片，阳极槽与清洗槽（3）之间有管道相连接，用循环泵（4）作为循环动力，清洗槽为洁净的聚四氟乙烯塑料水槽。
【技术特征摘要】
1.一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，其特征是：
2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，其特征是所述s3中的步骤如下：
3.根据权利要求2所述的一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊豪，韩五静，俞辉，王晨，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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