【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶圆研磨时降低碎片率的方法。
技术介绍
1、第三代半导体材料主要包括碳化硅、氮化镓等，由于其禁带宽度大于或等于 2.3电子伏特，又被称为宽禁带半导体材料。与前二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优点，可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的要求。第三代半导体材料在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要的应用前景。第三代半导体材料在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。
2、目前晶圆片在原先的双面研磨中，晶圆片经常出现跑片现象，导致全盘晶圆片碎片的情况，大大的提高了双面研磨机的不良率。因此，在双面研磨的工序中，保证晶片的完整性、表面平整性才是双面研磨工序的主要功能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，在双面研磨机内设有t型或r型内槽游星轮；步骤如下，
3、s1，使用定寸功能，定寸量小于晶圆片和游星轮的厚度差；
4、s2，将游星轮放入双面研磨机内，将晶圆放入游星轮的晶圆片孔内；
5、s3，进行研磨。
6、优选的，所述研磨压力为100-250kg。
7、优选的，双面研磨机使用定寸功能，定寸量小于晶圆片和游星轮的厚度差。
8、优选的，游星轮使用厚度大于等于400um，且游星轮厚度小于晶片厚度。
9、优选的，双面研磨机，优选的内外圈运动比为8：1-3：1。
10、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：此特殊内槽可大大降低晶圆片在研磨机内的碎片率，提高双面研磨的合格率。在原先的双面研磨中，晶圆片经常出现跑片，导致全盘晶圆片碎片的情况。本专利技术的优点在于，它可以杜绝晶圆片跑片的情况，从而大大的降低碎片率。本专利技术中提到的特殊内槽，具有锁住晶圆片的功能，使其在内槽内活动，不会出现跑片的情况，从而大大的提高了双面研磨机的合格率。本专利技术解决了双面研磨机碎片率高的问题，有利于晶圆片生产合格率的提高，有利于晶圆片大规模的生产，有利于半导体行业的进步。
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1.一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是：在双面研磨机内设有T型或R型内槽游星轮；步骤如下，
2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是所述研磨压力为100-250kg。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是双面研磨机使用定寸功能，定寸量小于晶圆片和游星轮的厚度差。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是游星轮使用厚度大于等于400um，且游星轮厚度小于晶片厚度。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是双面研磨机，优选的内外圈运动比为8：1-3：1。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是：在双面研磨机内设有t型或r型内槽游星轮；步骤如下，
2.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是所述研磨压力为100-250kg。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，其特征是双面研磨机使用定寸...
【专利技术属性】
技术研发人员：张德海，陈磊，王思远，孙会力，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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