一种再生晶圆内部铜离子去除方法技术

本发明专利技术公开了一种再生晶圆内部铜离子去除方法，包括如下步骤：S1：将晶圆表面所有金属膜去除，确保表面无金属元素；S2：将去膜后的晶圆放置在热处理装置中进行热处理，热处理过程采用梯度升温方式；S3：然后将经过热处理的晶圆进行药液清洗并利用超声波辅助清洗，将析出到表面的Cu洗净。将晶圆内部Cu离子烘出到表面，通过药液以及超声波辅助清洗去除晶圆表面的铜离子，不会对硅片造成损伤，也不影响晶圆内部结构，且热处理过程采用梯度升温方式，梯度升温方式有助于铜离子逐步适应温度变化，避免因温度突变导致的晶圆内部应力集中，从而减少晶圆损伤风险，同时确保铜离子在适宜的温度范围内均匀析出，提高析出效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及再生晶圆，特别涉及一种再生晶圆内部铜离子去除方法。

技术介绍

1、半导体集成电路中，各个元器件需要通过金属互连线进行连接，使它们形成一个完整的电路。金属互联层包括铜、钨、铝、钴等，早期普遍采用的是铝金属，但目前逐渐改用铜金属了。一方面是因为铜更便宜。另一方面，制作密集的金属互联线需要用到电镀金属和化学机械抛光工艺，铜很容易完成这些工艺，良率也好控制。此外cu具有较强的抗电迁移能,可避免由于电迁移而导致互连线产生空洞,从而大大提高集成电路的运行效率和可靠性,是最理想的可大规模使用的替代材料。

2、然而随着集成电路的发展，半导体厂对测试片的需求越来越大，为了节约成本，测试片再生项目也应运而生。

3、尽管cu具有导电性与成本优势，但是铜互连结构产生了基本的制造问题和挑战。铜离子较强的迁移作用影响到掺杂区电阻率不可控，容易导致器件电性能失效，进而影响产品的可靠性，污染甚至危及到加工线设施，包括交叉污染到没有与cu加工线物理隔离的al加工线。

4、目前针对含cu硅片的处理处于研发阶段，表面膜剥离同n-cu片一致，膜剥本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于：在S3步骤中，所述药液清洗采用多级清洗方式，首先使用浓度为5%的稀硫酸进行初步清洗，然后使用去离子水进行冲洗，最后使用浓度为1%的氨水进行终末清洗。

3.根据权利要求1所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于：在S2步骤中，在真空环境下进行热处理，真空度控制在1×10-3 Pa至1×10-2Pa之间。

4.根据权利要求1所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于：在S2步骤中，所述热处理装置内设置有磁场发生装...

【技术特征摘要】

1.一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于：在s3步骤中，所述药液清洗采用多级清洗方式，首先使用浓度为5%的稀硫酸进行初步清洗，然后使用去离子水进行冲洗，最后使用浓度为1%的氨水进行终末清洗。

3.根据权利要求1所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于：在s2步骤中，在真空环境下进行热处理，真空度控制在1×10-3 pa至1×10-2pa之间。

4.根据权利要求1所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方法，其特征在于：在s2步骤中，所述热处理装置内设置有磁场发生装置，产生方向垂直于晶圆表面的均匀磁场。

5.根据权利要求4所述的一种再生晶圆内部铜离子去除方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱海锋，巫强强，何园，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：