System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置制造方法及图纸_技高网

含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置制造方法及图纸

技术编号:40160230 阅读:9 留言:0更新日期:2024-01-26 23:34
本申请涉及一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。本申请的含氮化合物包含吲哚并吩噻嗪/吩恶嗪稠合吲哚的母核结构,将该含氮化合物用做有机电致发光器件的主体材料时,可以提高器件发光效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及有机电致发光材料,尤其涉及一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。


技术介绍

1、随着电子技术的发展和材料科学的进步,用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。有机电致发光器件,例如有机发光二极管(oled),通常包括相对设置的阴极和阳极,以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成,且一般包括有机发光层、空穴传输层、电子传输层等。当阴阳两极施加电压时,两电极产生电场,在电场的作用下,阴极侧的电子向电致发光层移动,阳极侧的空穴也向发光层移动,电子和空穴在电致发光层结合形成激子,激子处于激发态向外释放能量,进而使得电致发光层对外发光。

2、现有的有机电致发光器件中,最主要的问题为寿命和效率,随着显示器的大面积化,驱动电压也随之提高,发光效率及电流效率也需要提高。因此,有必要继续研发新型的材料,以进一步提高有机电致发光器件的性能。


技术实现思路

1、针对现有技术存在的上述问题,本申请的目的在于提供一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置,该含氮化合物用于有机电致发光器件中,可以提高器件的性能。

2、根据本申请的第一方面,提供一种含氮化合物,所述含氮化合物具有式1所表示的结构:

3、

4、x选自s或o;

5、各r1、r2和r3相同或者不同,且各自独立地选自氢、氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为6~20的氘代芳基、碳原子数为6~20的卤代芳基、碳原子数为3~20的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基;

6、且至少一组相邻的r1、相邻的r2或相邻的r3彼此键合以形成式2所示的稠合结构,在式2中,*表示与式1稠合的位置;

7、环m选自6~14元芳环;

8、各r4独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为6~20的氘代芳基、碳原子数为6~20的卤代芳基、碳原子数为3~20的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基;

9、基团a1和a2分别独立地选自式a-1所示结构或式a-2所示结构,且a1和a2中至少一者选自式a-1所示结构;

10、式1中包含两个式a-1所示结构时,各l3相同或不同,各ar3相同或不同;

11、l、l1、l2和l3相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基;

12、ar3选自碳原子数为6~40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~40的取代或未取代的杂芳基;

13、het为碳原子数为3~20的含氮亚杂芳基;

14、ar1和ar2相同或不同,且各自独立地选自氢、碳原子数为6~40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~40的取代或未取代的杂芳基;

15、l、l1、l2、l3、ar1、ar2和ar3中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为6~20的氘代芳基、碳原子数为6~20的卤代芳基、碳原子数为3~20的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基;任选地,任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3~15元环;

16、n1和n2各自独立地选自0、1、2、3或4;

17、n3选自0、1、2或3;

18、n4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。

19、根据本申请的第二方面,提供一种有机电致发光器件,包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;所述功能层包含上述的含氮化合物。

20、根据本申请的第三方面,提供了一种电子装置,包括第二方面所述的有机电致发光器件。

21、本申请化合物结构中包含吲哚并吩噻嗪/吩恶嗪稠合吲哚的母核结构,吲哚并吩噻嗪/吩恶嗪中的硫原子或氧原子上的两对孤对电子赋予本申请化合物的母核结构具有优异的空穴传输能力,在吲哚并吩噻嗪/吩恶嗪上面进一步稠合吲哚之后,能够进一步增强母核的空穴传输能力。根据母核连接基团电子特性的不同,本申请化合物的应用不同。当本申请的母核连接供电子的芳基或杂芳基时,可以用作混合型主体材料中的空穴传输型材料;当本申请的母核连接缺电子的含氮杂芳基时,可以用作双极性的主体材料。本申请化合物作为主体材料可以改善有机发光层中载流子平衡,拓宽载流子复合区域,提高激子生成和利用效率,提高器件发光效率和寿命。

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【技术保护点】

1.一种含氮化合物,其特征在于,所述含氮化合物具有式1所表示的结构:

2.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,式2结构选自以下2-1~2-4所示结构:

3.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,Het选自如下基团构成的组:

4.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,Ar1和Ar3各自独立地选自碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-18的取代或未取代的杂芳基;

5.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,Ar1和Ar3各自独立地选自取代或未取代的基团V;Ar2选自氢、取代或未取代的基团V;其中,所述未取代的基团V选自如下基团:

6.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,A1和A2中的至少一者为式a-1所示结构,且式a-1所示结构选自以下基团:

7.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,L、L1、L2和L3相同或不同,且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基;

8.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,所述R1、R2和R3彼此相同或不同,且各自独立地选自氢、氘、氰基、氟、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基,且至少一组相邻的R1、相邻的R2或相邻的R3彼此键合以形成式2所示的稠合环结构;

9.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,任意一组相邻的R1或任意一组相邻的R2彼此键合以形成式2所示的稠合结构,*表示式2与式1中的环T或环Q稠合的位置。

10.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,选自以下基团构成的组,选自氢或以下基团构成的组:

11.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,所述含氮化合物选自以下化合物所组成的组:

12.一种有机电致发光器件,包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;其特征在于,所述功能层包含权利要求1~11中任一项所述的含氮化合物;

13.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求12所述的有机电致发光器件。

...

【技术特征摘要】

1.一种含氮化合物,其特征在于,所述含氮化合物具有式1所表示的结构:

2.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,式2结构选自以下2-1~2-4所示结构:

3.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,het选自如下基团构成的组:

4.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,ar1和ar3各自独立地选自碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-18的取代或未取代的杂芳基;

5.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,ar1和ar3各自独立地选自取代或未取代的基团v;ar2选自氢、取代或未取代的基团v;其中,所述未取代的基团v选自如下基团:

6.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,a1和a2中的至少一者为式a-1所示结构,且式a-1所示结构选自以下基团:

7.根据权利要求1所述的含氮化合物,其中,l、l1、l2和l3相同或不同,且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐先彬杨雷
申请(专利权)人:陕西莱特光电材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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