【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储，特别涉及一种存储器及其控制方法。
技术介绍
1、以nand闪存作为存储介质的存储器具有非易失、读写速度快、抗震、低功耗、体积小等特性，目前己广泛应用于嵌入式系统、航空航天、消费电子等领域。闪存存储数据的稳定性受到多种因素的影响，例如擦写次数就会直接影响到闪存的寿命和闪存存储数据的稳定性。
2、在对闪存的数据写入进程中，对存储页写入数据时，会导致被写入存储页相邻的存储页出现错误的电荷积累，当电荷积累到一定程度就会导致部分存储页被错误导通，从而导致闪存的存储页数据出错。这是闪存硬件特质导致的读干扰现象，并且会严重影响闪存的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种存储器及其控制方法，能够提升存储器的稳定性和性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种存储器，包括：
4、闪存芯片，所述闪存芯片中划分出多个存储块，且所述存储块包括多个存储单元；
5、磨损管理模块，所述磨损管理模块中记录所述存储块的读取次数和擦除次数；
6、纠错模块，在从所述闪存芯片中读出数据时，所述纠错模块对比读出数据和原始数据，并获得所述读出数据的纠错码；以及
7、阈值调整模块，所述阈值调整模块中存储多个擦除阶数和多个读取阈值，其中多个读取阈值呈等差分布，当所述存储块的擦除次数达所述擦除阶数，所述阈值调整模块遍历读取所述存储块的存储单元，并在所述纠错码的错
8、在本专利技术一实施例中，在所述存储块中，部分所述单元被划分为弱页，且所述弱页的地址映射信息存储在所述闪存芯片中。
9、在本专利技术一实施例中，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值，且所述弱页的错误比特数大于所述纠错阈值，则减小所述读取阈值的等差增量。
10、在本专利技术一实施例中，所述弱页为所述存储器的寿命周期读写测试中，纠错码的错误比特数最大的存储单元。
11、在本专利技术一实施例中，所述存储器包括主控芯片，所述磨损管理模块、所述纠错模块和所述阈值调整模块设置在所述主控芯片内。
12、本专利技术提供了一种存储器的控制方法，基于如上所述的一种存储器，包括以下步骤：
13、在所述存储器执行主机命令时，记录闪存芯片中存储块的读取次数和擦除次数，其中所述存储器中存储多个擦除阶数和多个读取阈值，且多个读取阈值呈等差分布；
14、在从所述闪存芯片中读出数据时，对比读出数据和原始数据，并获得所述读出数据的纠错码；以及
15、当所述存储块的擦除次数达所述擦除阶数，遍历读取所述存储块的存储单元，并在所述纠错码的错误比特数大于纠错阈值时，减小所述读取阈值的等差增量。
16、在本专利技术一实施例中，所述遍历读取所述存储块的存储单元的步骤包括：
17、依次读取所述存储块的存储单元，并获取所述存储单元的纠错码；以及
18、任一所述存储单元的所述错误比特数大于所述纠错阈值，减小所述存储单元的读取阈值，其中每次所述读取阈值的减小比例相同。
19、在本专利技术一实施例中，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值，对所述存储块进行垃圾回收。
20、在本专利技术一实施例中，部分所述存储单元被划分为弱页，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值时，读取所述弱页并获取所述弱页的纠错码，当所述纠错码的错误比特数小于等于纠错阈值，减小所述读取阈值的增量。
21、在本专利技术一实施例中，当所述纠错码的错误比特数大于所述纠错阈值，对所述存储块进行垃圾回收。
22、如上所述，本专利技术提供了一种存储器及其控制方法，能够根据存储器内部的实际使用情况进行垃圾回收，极大程度地节省了存储资源，避免发生无效且过于频繁的垃圾回收进程。因此根据本专利技术提供的存储器，既能提升存储器的性能，还能保障存储器的存储安全。并且，根据本专利技术提供的存储器，环境因素造成或是电荷积累造成的读干扰问题都能被极大程度地改善，极大程度地提升了存储器的使用寿命和稳定性。并且减少了存储器内部的无效流程，能够在高性能的同时，提升用户的使用体验。
23、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，在所述存储块中，部分所述单元被划分为弱页，且所述弱页的地址映射信息存储在所述闪存芯片中。
3.根据权利要求2所述的一种存储器，其特征在于，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值，且所述弱页的错误比特数大于所述纠错阈值，则减小所述读取阈值的等差增量。
4.根据权利要求2所述的一种存储器，其特征在于，所述弱页为所述存储器的寿命周期读写测试中，纠错码的错误比特数最大的存储单元。
5.根据权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，所述存储器包括主控芯片，所述磨损管理模块、所述纠错模块和所述阈值调整模块设置在所述主控芯片内。
6.一种存储器的控制方法，基于如权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种存储器的控制方法，其特征在于，所述遍历读取所述存储块的存储单元的步骤包括：
8.根据权利要求6所述的一种存储器的控制方法，其特征在于，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值，对所述存储块进行
9.根据权利要求6所述的一种存储器的控制方法，其特征在于，部分所述存储单元被划分为弱页，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值时，读取所述弱页并获取所述弱页的纠错码，当所述纠错码的错误比特数小于等于纠错阈值，减小所述读取阈值的增量。
10.根据权利要求9所述的一种存储器的控制方法，其特征在于，当所述纠错码的错误比特数大于所述纠错阈值，对所述存储块进行垃圾回收。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，在所述存储块中，部分所述单元被划分为弱页，且所述弱页的地址映射信息存储在所述闪存芯片中。
3.根据权利要求2所述的一种存储器，其特征在于，当所述存储块的读取次数达到所述读取阈值，且所述弱页的错误比特数大于所述纠错阈值，则减小所述读取阈值的等差增量。
4.根据权利要求2所述的一种存储器，其特征在于，所述弱页为所述存储器的寿命周期读写测试中，纠错码的错误比特数最大的存储单元。
5.根据权利要求1所述的一种存储器，其特征在于，所述存储器包括主控芯片，所述磨损管理模块、所述纠错模块和所述阈值调整模块设置在所述主控芯片内。
6.一种存储器的控制方法，基于如...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈文涛，许建强，苏忠益，
申请(专利权)人：合肥康芯威存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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