【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
根据本公开的技术(在下文中也称为“本技术”)涉及表面发射激光器、表面发射激光器阵列和电子装置。
技术介绍
1、常规地，其中堆叠了多个有源区的表面发光元件是已知的(例如，参见专利文献1)。
2、引用列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利申请公开第2000-299493号
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题
2、然而，在常规的表面发光元件中，在稳定与驱动温度的变化有关的发光特性方面存在改进的空间。
3、因此，本技术的主要目的是提供能够相对于驱动温度的变化稳定发射特性的表面发射激光器。
4、问题的解决方案
5、本技术提供了一种表面发射激光器，包括：
6、第一多层膜反射器和第二多层膜反射器；
7、多个有源区，堆叠在第一多层膜反射器与第二多层膜反射器之间；以及
8、隧道结，设置在至少一组两个相邻的有源区之间，其中
9、多个有源区包括有源层的发射光谱的峰值波长彼此不同的至少两个有源区。
10、多个有源区中的每一个可以包括至少一个有源层，并且至少两个有源区可以在有源层的组成、有源层的厚度以及有源层的数量中的至少一个方面彼此不同。
11、随着至少两个有源区越接近表面发射激光器的发射表面，发射光谱的峰值波长可以越短。
12、随着至少两个有源区越接近表面发射激光器的发射表面，包括在有源层中的元素之中具有最大晶格常数的元素的组
13、随着至少两个有源区越接近表面发射激光器的发射表面，有源层的厚度可以越小。
14、随着至少两个有源区越接近表面发射激光器的发射表面，有源层的数量可以越大。
15、至少两个有源区可以包括至少一组两个相邻的有源区，并且至少一组两个相邻的有源区的发射光谱的峰值波长之间的差可以是5nm以上并且50nm以下。
16、至少两个有源区可以包括至少一组两个相邻的有源区，并且至少一组两个相邻的有源区的发射光谱的峰值波长之间的差可以是15nm以上并且30nm以下。
17、在至少两个有源区中，发射光谱的峰值波长最长的有源区与发射光谱的峰值波长最短的有源区中的峰值波长之间的差可以是30nm以上并且60nm以下。
18、多个有源区可以是至少三个有源区，并且至少两组两个彼此相邻的有源区在两个彼此相邻的有源区中的发射光谱的峰值波长之间的差方面可以是不同的。
19、多个有源区可以是至少三个有源区，并且至少两组两个彼此相邻的有源区在两个彼此相邻的有源区中的发射光谱的峰值波长之间的差可以是相同的。
20、至少一个有源层可以包括inxga(1-x)as(0≤x≤1.0)。
21、多个有源区中的每一个可以包括包含alyga(1-y)as(0≤y≤1.0)的半导体层。
22、隧道结可以至少设置在多个有源区中的离表面发射激光器最远的发射表面的有源区和与该有源区相邻的有源区之间。
23、隧道结可以设置在所有两个相邻的有源区之间。
24、隧道结可以至少不设置在最靠近表面发射激光器的发射表面的有源区和与有源区相邻的有源区之间。
25、可以在至少两组的两个相邻的有源区中的各组的两个相邻的有源区之间设置隧道结，并且随着多个隧道结越远离表面发射激光器的发射表面，具有的杂质掺杂浓度越高。
26、本技术提供了一种包括多个表面发射激光器的表面发射激光器阵列。
27、本技术还提供了一种包括表面发射激光器的电子装置。
28、本技术还提供了一种包括表面发射激光器阵列的电子装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种表面发射激光器，包括：
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，随着所述至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，所述发射光谱的峰值波长越短。
4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，随着所述至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，包括在所述有源层中的元素之中具有最大晶格常数的元素的组分越小。
5.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，随着所述至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，所述有源层的厚度越小。
6.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述随着至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，所述有源层的数量越大。
7.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
8.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
9.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，在所述至少两个有源区中，发射光谱的峰值波长最长的有源区与发射光谱的峰值波长最短的有源区中的峰值波长之间的差是30nm以
10.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
11.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
12.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述至少一个有源层包括InxGa(1-x)As(0≤x≤1.0)。
13.根据权利要求12所述的表面发射激光器，其中，所述多个有源区中的每一个包括包含AlyGa(1-y)As(0≤y≤1.0)的半导体层。
14.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述隧道结至少设置在所述多个有源区中的离所述表面发射激光器最远的发射表面的有源区和与该有源区相邻的有源区之间。
15.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述隧道结设置在所有两个相邻的有源区之间。
16.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述隧道结至少不设置在最靠近所述表面发射激光器的发射表面的有源区和与该有源区相邻的有源区之间。
17.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
18.一种表面发射激光器阵列，包括多个根据权利要求1所述的表面发射激光器。
19.一种电子装置，包括根据权利要求1所述的表面发射激光器。
20.一种电子装置，包括根据权利要求18所述的表面发射激光器阵列。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种表面发射激光器，包括：
2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，随着所述至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，所述发射光谱的峰值波长越短。
4.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，随着所述至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，包括在所述有源层中的元素之中具有最大晶格常数的元素的组分越小。
5.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，随着所述至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，所述有源层的厚度越小。
6.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述随着至少两个有源区越接近所述表面发射激光器的发射表面，所述有源层的数量越大。
7.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
8.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，
9.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，在所述至少两个有源区中，发射光谱的峰值波长最长的有源区与发射光谱的峰值波长最短的有源区中的峰值波长之间的差是30nm以上并且60nm以下。
10.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：德田耕太，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。