【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。
技术介绍
1、在过去的几十年中，集成电路中的特征的缩放一直是不断发展的半导体行业的驱动力。缩放至越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限基板面上实现增大的功能单元密度。例如，收缩的晶体管大小允许在芯片上并入增大数量的存储器或逻辑器件，从而导致制造具有增大容量的产品。然而，对于不断变大的容量的驱使并不是没有问题的。优化每个器件的性能的必要性变得愈加显著。
2、在常规且当前已知的制造过程中的可变性可能会限制将它们进一步延伸到10纳米节点或亚10纳米节点的范围中的可能性。因此，对于未来技术节点而言所需的功能组件的制造可能要求在当前的制造过程中引入新方法或集成新技术，或者用它们来替代当前的制造过程。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞与所述第一栅电极横向间隔开，并且所述电介质插塞与所述第二栅电极横向间隔开。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞具有沿与所述第一栅电极的最长尺寸且与所述第二栅电极的最长尺寸相同的方向的最长尺寸。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构包括硅和锗。
6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构横向位于所述电介质插塞和所述第一栅电极之间，并且所述第二外延源极或漏极结构横向位于所述电介质插塞和所述第二栅电极之间。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括硅和氮。
9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括硅和氧。
10.一种集成电路结构，包括：
11.
12.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞具有沿与所述第一栅电极的最长尺寸且与所述第二栅电极的最长尺寸相同的方向的最长尺寸。
13.根据权利要求10所述的集成电路结构，还包括：
14.根据权利要求10所述的集成电路结构，还包括：
15.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括硅和氮，或者其中所述电介质插塞包括硅和氧。
16.一种集成电路结构，包括：
17.根据权利要求16所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞与所述第一栅电极横向间隔开，并且所述电介质插塞与所述第二栅电极横向间隔开，并且其中所述电介质插塞具有沿与所述第一栅电极的最长尺寸且与所述第二栅电极的最长尺寸相同的方向的最长尺寸。
18.根据权利要求16所述的集成电路结构，还包括：
19.根据权利要求16所述的集成电路结构，还包括：
20.根据权利要求16所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括硅和氮，或者其中所述电介质插塞包括硅和氧。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞与所述第一栅电极横向间隔开，并且所述电介质插塞与所述第二栅电极横向间隔开。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞具有沿与所述第一栅电极的最长尺寸且与所述第二栅电极的最长尺寸相同的方向的最长尺寸。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构包括硅和锗。
6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构横向位于所述电介质插塞和所述第一栅电极之间，并且所述第二外延源极或漏极结构横向位于所述电介质插塞和所述第二栅电极之间。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括硅和氮。
9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括硅和氧。
10.一种集成电路结构，包括：
11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：T加尼，B何，ML哈滕多夫，CP奥思，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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