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本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种方法包括形成多个鳍片并在所述多个鳍片上形成多个栅极结构。在所述多个栅极结构中的相邻的栅极结构之间形成电介质材料结构...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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