【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体功率器件，具体涉及一种trench vdmos器件及其制备方法。
技术介绍
1、垂直双扩散金属氧化物半导体(vertical double-duffused metal oxidesemiconductor，vdmos)晶体管，一般分为沟槽栅(trench)vdmos和平面(planer)vdmos，是功率半导体器件中最重要的器件之一。功率vdmos器件由于其输入阻抗高、开关转换频率高、耐压能力强等优良特性，被广泛应用于开关控制、电源转换、电机驱动、灯光驱动等领域中。
2、由于功率vdmos器件在正常工作中，栅电压或环境温度变化不可避免地会发生变化，因此流过vdmos器件的漏极电流也会变化。当流过器件的漏电流过大时，会使得器件产生很高的功耗，导致器件局部升温；当流过器件的电流超过器件安全工作区的最大工作电流id(max)时，会造成器件性能退化及可靠性问题，严重时甚至会导致器件失效，因此需要过流保护电路来限制器件的最大电流，从而保护器件。而对器件进行过流保护首先需要对流过器件的电流进行采样，根据采样信号的波...
【技术保护点】
1.一种Trench VDMOS器件，其特征在于，所述Trench VDMOS器件中的元胞包括制作在同一衬底上的若干主体元胞、若干隔离元胞和若干采样元胞，其中：
2.根据权利要求1所述的Trench VDMOS器件，其特征在于，所述主体元胞和所述采样元胞的结构相同。
3.根据权利要求2所述的Trench VDMOS器件，其特征在于，所述主体元胞和所述采样元胞均包括：
4.根据权利要求3所述的Trench VDMOS器件，其特征在于，所述N+型源区的宽度小于所述P型体区的宽度，所述N+型源区的深度小于所述P型体区的深度。
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【技术特征摘要】
1.一种trench vdmos器件，其特征在于，所述trench vdmos器件中的元胞包括制作在同一衬底上的若干主体元胞、若干隔离元胞和若干采样元胞，其中：
2.根据权利要求1所述的trench vdmos器件，其特征在于，所述主体元胞和所述采样元胞的结构相同。
3.根据权利要求2所述的trench vdmos器件，其特征在于，所述主体元胞和所述采样元胞均包括：
4.根据权利要求3所述的trench vdmos器件，其特征在于，所述n+型源区的宽度小于所述p型体区的宽度，所述n+型源区的深度小于所述p型体区的深度。
5.根据权利要求3所述的trench vdmos器件，其特征在于，所述隔离元胞包括：
6.根据权利要求5所述的tren...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁瑞雪，向凡，邓凌志，王媛，
申请(专利权)人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院，
类型：发明
国别省市：
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