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本发明涉及一种Trench VDMOS器件及其制备方法，Trench VDMOS器件中的元胞包括制作在同一衬底上的若干主体元胞、若干隔离元胞和若干采样元胞，其中：所述若干采样元胞成阵列方式设置，且所述若干采样元胞并联连接；所述若干隔离元胞围...
该专利属于西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院授权不得商用。

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