【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种抗辐射trench型mosfet的制造方法。
技术介绍
1、trench型mosfet是一种新型分立型功率mosfet功率器件，和双极型功率器件性能相比，具有导通损耗低，工作频率高，电压控制型器件，控制电路简单等优点，越来越受到工业界的重视。相比与平面型mosfet与普通trench工艺mosfet，trench型mosfet可实现更小的元胞尺寸和更高的电流密度，提高器件的电流能力和开关性能，特别是在中低压功率mosfet领域具有更加明显优势。
2、伴随人类对太空领域的探索，电子元器件不仅需要优良的电性能，还需要应对太空中的恶劣环境，比如γ射线，太阳风等。在太空电离辐照环境下，器件产生的辐照效应主要包括总剂量辐照效应，单粒子烧毁和单粒子栅穿，因此对器件需要进行抗辐射加固设计。
3、本次专利技术提出的抗辐射trench型mosfet在实现优良的电性能基础上，进行抗辐射加固设计，使之更好的满足太空领域的使用环境。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种抗辐射trench型mosfet的制造方法，以解决
技术介绍
中的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种抗辐射trench型mosfet的制造方法，包括：
3、在硅外延片上生长第一氧化硅层，通过离子注入工艺，实现p阱注入，淀积第一氮化硅层形成外延硅-氧化硅-氮化硅三层薄膜结构；
4、通过沟槽光刻和腐蚀工艺在圆片上挖出第一
5、在圆片上再次挖出第二trench构槽，淀积一层氧化层和第二氮化硅层；
6、利用磷酸工艺拔除第一氮化硅层、第二氮化硅层和侧壁薄氧化层，保证底部氧化加厚部分被保留下来；生长栅氧化，淀积原位多晶，通过栅多晶回刻工艺刻蚀掉硅表面多晶；
7、实现源极注入并激活，做好介质ild的淀积和平坦化处理；利用孔光刻先进行第一步介质孔腐蚀和硅孔腐蚀，利用孔注入把p型杂质掺杂到深体区域，再通过热激活形成体区引出；
8、利用钨填充和研磨，实现接触孔金属引出，通过金属metal淀积，光刻和腐蚀，实现金属互联。
9、在一种实施方式中，所述第一氧化硅层的厚度为p阱注入的工艺参数为：注入b元素，能量50～120kev，剂量1e13～5e13个/cm2；所述第一氮化硅层的厚度为
10、在一种实施方式中，所述第一trench沟槽的侧壁光滑、倾斜角度在88～90°、底部半圆型形貌；所述第一trench沟槽的深度为2～6um，需要和产品实际需求相匹配；
11、完成第一trench沟槽工艺后，该方法还包括：生长一层牺牲氧化以修复干法腐蚀过程中第一trench沟槽的侧壁和底部硅表面的损伤，并对阱区进行推结，再利用湿法腐蚀拔除这层牺牲氧化层。
12、在一种实施方式中，所述牺牲氧化层的温度范围在1000～1150℃，氧化厚度为利用此高温热过程，对p阱进行推结处理，形成阱区域。
13、在一种实施方式中，所述第二trench构槽的侧壁光滑、倾斜角度在88～90°、底部半圆型形貌，深度范围在1～2um；
14、完成第二trench沟槽工艺后，该方法还包括：通过牺牲氧化和拔除工艺来修复侧壁和底部损伤，其中牺牲氧化温度范围在1000～1150°，氧化厚度为
15、在一种实施方式中，淀积一层氧化层和第二氮化硅层之后，该方法还包括：
16、利用干法腐蚀各向异常，刻蚀掉栅第一trench沟槽和第二trench沟槽底部的第二氮化硅层，侧壁和底部硅面仍保留有氮化硅；
17、再通过热氧化工艺，在栅第一trench沟槽和第二trench沟槽的底部生长氧化层，实现底部局部氧化加厚。
18、在一种实施方式中，所述实现源极注入并激活的方法为：通过n+光刻和使用离子注入，注入元素为as/p，注入能量为60～100kev，注入剂量为5e15～1e16个/cm2。
19、本专利技术提供的一种抗辐射trench型mosfet的制造方法，阱区注入需要提前到沟槽刻蚀前，利用牺牲氧化热过程实现推结；源极沟槽和栅极沟槽由于刻蚀工艺深度要求差异，需要分开处理。考虑到抗单粒子栅穿的要求，需要对栅沟槽底部氧化加厚；另外对于栅氧本身的抗总剂量要求，工艺中需要使用低温湿氧工艺作业。本专利技术通过优化工艺步骤和工艺流程，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以实现加工出具有抗辐射特性trench型mosfet产品，在商用trench型mosfet器件的基础上实现抗辐射性能加固，满足元器件在航天领域的使用环境。
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1.一种抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为P阱注入的工艺参数为：注入B元素，能量50～120Kev，剂量1E13～5E13个/cm2；所述第一氮化硅层的厚度为
3.如权利要求1所述的抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，所述第一trench沟槽的侧壁光滑、倾斜角度在88～90°、底部半圆型形貌；所述第一trench沟槽的深度为2～6um，需要和产品实际需求相匹配；
4.如权利要求3所述的抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的温度范围在1000～1150℃，氧化厚度为利用此高温热过程，对P阱进行推结处理，形成阱区域。
5.如权利要求1所述的抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，所述第二trench构槽的侧壁光滑、倾斜角度在88～90°、底部半圆型形貌，深度范围在1～2um；
6.如权利要求1所述的抗辐射trench型MOSF
7.如权利要求1所述的抗辐射trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，所述实现源极注入并激活的方法为：通过N+光刻和使用离子注入，注入元素为As/P，注入能量为60～100Kev，注入剂量为5E15～1E16个/cm2。
...【技术特征摘要】
1.一种抗辐射trench型mosfet的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的抗辐射trench型mosfet的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为p阱注入的工艺参数为：注入b元素，能量50～120kev，剂量1e13～5e13个/cm2；所述第一氮化硅层的厚度为
3.如权利要求1所述的抗辐射trench型mosfet的制造方法，其特征在于，所述第一trench沟槽的侧壁光滑、倾斜角度在88～90°、底部半圆型形貌；所述第一trench沟槽的深度为2～6um，需要和产品实际需求相匹配；
4.如权利要求3所述的抗辐射trench型mosfet的制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的温度范围...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖远宝，唐新宇，张庆东，谢儒彬，洪根深，徐政，徐海铭，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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