【技术实现步骤摘要】
本技术涉及辊道炉的，具体而言，涉及一种带实时监控硅片烧结温度的传感装置的辊道炉。
技术介绍
1、topcon电池背面采用纳米氧化硅/重掺杂多晶硅/（氧化铝，可省）/氮化硅，最后在上面印上银浆，经过高温烧结后，银浆中的玻璃体和铅穿透氮化硅膜，使得银原子在烧结的高温下在多晶硅薄膜区析出，在随后的高温阶段及降温，并在多晶硅上形成银颗粒。由于银原子在高温条件下，会不断析出，并通过熟化效应不断聚集，形成银颗粒；如果银颗粒生长过量，尺寸过大，就会导致其穿透多晶硅及纳米氧化硅层，从而破坏topcon结构的钝化效果，使得电池效率显著降低。
2、目前，常规的辊道炉并不能对硅片的实际温度进行实时测量。具体来说，现有辊道炉的热电偶靠近加热装置，离硅片距离在10mm以上；热电偶安装远离产品核心温区，测量是周边环境的温度，有极大的滞后性和一定的偏差。因此，当调整银浆组份、针对烧结工艺（炉管功率、硅片运行速度）进行调整时，由于现有炉体监控的是环境气氛的温度，而缺少直接对硅片温度的实时监控，经常容易发生过烧结或欠烧结的问题，降低了电池的性能，也降低工艺开
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1.一种带实时监控硅片烧结温度的传感装置的辊道炉，包括烘干区(1)、烧结区(2)及风冷区(3)，且所述烘干区(1)及所述烧结区(2)均包括多个控温区，硅片(13)经由传动装置依次通过所述烘干区(1)、所述烧结区(2)及所述风冷区(3)，其特征在于，每个所述控温区均包括对应于硅片(13)正面的上控温区(4)和对应于硅片(13)背面的下控温区(5)，每个控温区内的所述上控温区(4)和所述下控温区(5)内对应地设置有多个电偶实时温度传感器(6)，所述传动装置包括若干沿所述烘干区(1)及所述烧结区(2)长度方向间隔设置的辊轴(8)，所述控温区内的每两个相邻的所述辊轴(8)之间...
【技术特征摘要】
1.一种带实时监控硅片烧结温度的传感装置的辊道炉，包括烘干区(1)、烧结区(2)及风冷区(3)，且所述烘干区(1)及所述烧结区(2)均包括多个控温区，硅片(13)经由传动装置依次通过所述烘干区(1)、所述烧结区(2)及所述风冷区(3)，其特征在于，每个所述控温区均包括对应于硅片(13)正面的上控温区(4)和对应于硅片(13)背面的下控温区(5)，每个控温区内的所述上控温区(4)和所述下控温区(5)内对应地设置有多个电偶实时温度传感器(6)，所述传动装置包括若干沿所述烘干区(1)及所述烧结区(2)长度方向间隔设置的辊轴(8)，所述控温区内的每两个相邻的所述辊轴(8)之间设置至少三个所述电偶实时温度传感器(6)，所述电偶实时温度传感器(6)与硅片(13)的上下表面之间的距离不大于10mm。
2.根据权利要求1所述的带实时监控硅片烧结温度的传感装置的辊道炉，其特征在于，所述电偶实时温度传感器(6)通过固定装置与所述控温区的内壁连接，所述固定装置包括固定杆(7)，所述上控温区(4)和所述下控温区(5)的内壁上均设置有固定杆(7)，且所述控温区内的每两个相邻的所述辊轴(8)之间设置所述电偶实时温度传感器(6)，所述固定杆(7)上连接有所述电偶实时温度传感器(6)。
3.根据权利要求2所述的带实时监控硅片烧结温度的传感装...
【专利技术属性】
技术研发人员：林娜，曾俞衡，黄如伟，廖明墩，叶继春，夏庆锋，
申请(专利权)人：中科研和宁波科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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